Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

RH6P040BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.70
4,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6P040BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6P040BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

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4,947En existencias

Cinta cortada

S/10.70

S/6.93

S/4.75

S/3.80

S/3.54

Envase tipo carrete

S/3.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

15.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

RH6R025BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.90
5,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6R025BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6R025BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

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Hoja de datos

5,788En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/6.54

S/4.71

S/3.88

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.37
2,700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RH6G040CGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6G040CGTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

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2,700En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/5.37

S/3.62

S/2.88

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.4 mOhms

20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A

RH6R040CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.80
2,376En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RH6R040CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6R040CHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A

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2,376En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.81

S/3.04

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

40 A

38 mOhms

20 V

4 V

11.3 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.69
3,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RH6G040CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6G040CHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/6.23

S/4.24

S/3.38

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

RH6N040BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.54
2,820En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RH6N040BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6N040BHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

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Hoja de datos

2,820En existencias

Cinta cortada

S/9.54

S/6.15

S/4.20

S/3.33

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

80 V

65 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET

RH6E040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.30
2,680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6E040BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6E040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET

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Hoja de datos

2,680En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.96

S/4.05

S/3.23

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

RH6G040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.51
4,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6G040BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6G040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

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Hoja de datos

4,985En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/6.66

S/4.63

S/3.71

S/3.44

Envase tipo carrete

S/3.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

95 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

RH6L040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/11.64
1,108En existencias
3,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
RH6L040BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6L040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

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1,108En existencias

3,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.22

S/4.20

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

60 V

65 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.8 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

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