Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

RH6P040BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.85
4,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6P040BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6P040BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

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4,957En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.03

S/4.36

S/3.55

S/3.36

Envase tipo carrete

S/3.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

15.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

RH6R025BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.20
5,859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6R025BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6R025BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

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Hoja de datos

5,859En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.42

S/4.52

S/3.63

S/3.48

Envase tipo carrete

S/3.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.37
2,400En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RH6G040CGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6G040CGTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

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Hoja de datos

2,400En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/5.37

S/3.62

S/2.88

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.4 mOhms

20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A

RH6R040CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.80
2,384En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RH6R040CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6R040CHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A

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Hoja de datos

2,384En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.81

S/3.04

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

40 A

38 mOhms

20 V

4 V

11.3 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.65
3,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RH6G040CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6G040CHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/6.19

S/4.24

S/3.38

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

RH6N040BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.50
2,960En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RH6N040BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6N040BHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

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Hoja de datos

2,960En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.11

S/4.20

S/3.33

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

80 V

65 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET

RH6E040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.68
2,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6E040BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6E040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET

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Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.57

S/3.78

S/3.02

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

RH6L040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/11.64
1,121En existencias
3,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
RH6L040BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6L040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

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Hoja de datos

1,121En existencias

3,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.22

S/4.20

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

60 V

65 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.8 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

RH6G040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.51
5,985Se espera el 19/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
RH6G040BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6G040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

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Hoja de datos

5,985Se espera el 19/06/2026

Cinta cortada

S/10.51

S/6.66

S/4.63

S/3.71

S/3.44

Envase tipo carrete

S/3.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

95 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

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