Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor 1: S/10.90 5,738En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6R025BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6R025BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	5,738En existencias	Cinta cortada S/10.90 S/5.41 S/4.83 S/3.88 S/3.64 Envase tipo carrete S/3.44	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	150 V	25 A	60 mOhms	20 V	4 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor 1: S/10.70 4,914En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6P040BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6P040BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	4,914En existencias	Cinta cortada S/10.70 S/5.29 S/4.75 S/3.80 S/3.68 Envase tipo carrete S/3.30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	100 V	40 A	15.6 mOhms	20 V	4 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A RH6G040CHTB1 ROHM Semiconductor 1: S/9.69 3,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6G040CHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040CHTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada S/9.69 S/4.71 S/4.24 S/3.38 S/3.28 Envase tipo carrete S/2.91	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	135 A	2.5 mOhms	20 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A RH6R040CHTB1 ROHM Semiconductor 1: S/8.80 2,970En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6R040CHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6R040CHTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2,970En existencias	Cinta cortada S/8.80 S/4.28 S/3.81 S/3.04 S/2.93 Envase tipo carrete S/2.55	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	150 V	40 A	38 mOhms	20 V	4 V	11.3 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A RH6G040CGTB1 ROHM Semiconductor 1: S/8.37 1,668En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6G040CGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040CGTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	1,668En existencias	Cinta cortada S/8.37 S/4.05 S/3.62 S/2.88 S/2.76 Envase tipo carrete S/2.39	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	135 A	2.4 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET RH6E040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: S/9.30 2,680En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6E040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6E040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2,680En existencias	Cinta cortada S/9.30 S/4.52 S/4.05 S/3.23 S/3.14 Envase tipo carrete S/2.75	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	30 V	125 A	2.9 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive) RH6N040BHTB1 ROHM Semiconductor 1: S/9.54 2,819En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6N040BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6N040BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive) Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2,819En existencias	Cinta cortada S/9.54 S/4.67 S/4.20 S/3.33 S/3.23 Envase tipo carrete S/2.86	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	80 V	65 A	8.3 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: S/11.64 3,011En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6L040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6L040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	3,011En existencias	Cinta cortada S/11.64 S/5.76 S/5.22 S/4.20 S/4.09 Envase tipo carrete S/3.76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	60 V	65 A	7.1 mOhms	20 V	2.5 V	18.8 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: S/10.90 1,675En existencias 3,000Se espera el 16/03/2027	N.º de artículo del Fabricante RH6G040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	1,675En existencias 3,000Se espera el 16/03/2027	Cinta cortada S/10.90 S/6.19 S/4.79 S/4.05 S/3.74 Envase tipo carrete S/3.25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	95 A	3.6 mOhms	20 V	2.5 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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