Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A

RH6R040CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.21
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RH6R040CHTB1

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755-RH6R040CHTB1

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A

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S/5.29

S/3.57

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.30

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

40 A

38 mOhms

20 V

4 V

11.3 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

RH6P040BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.26
4,997En existencias

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RH6P040BHTB1

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755-RH6P040BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

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S/9.26

S/6.23

S/4.44

S/3.55

Envase tipo carrete

S/2.92

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

15.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

RH6L040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.82
3,148En existencias

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RH6L040BGTB1

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755-RH6L040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

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Cinta cortada

S/10.82

S/7.05

S/4.87

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

60 V

65 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.8 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.82
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755-RH6G040CGTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

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S/7.82

S/5.02

S/3.38

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.18

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.4 mOhms

20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET

RH6E040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.11
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RH6E040BGTB1

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755-RH6E040BGTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET

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Cinta cortada

S/9.11

S/5.84

S/4.05

S/3.42

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.72

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.15
3,000En existencias
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RH6G040CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6G040CHTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

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S/9.15

S/5.84

S/4.01

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

RH6N040BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.99
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RH6N040BHTB1

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755-RH6N040BHTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

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S/8.99

S/5.76

S/3.93

S/3.26

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

80 V

65 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

RH6R025BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.26
5,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6R025BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6R025BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

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Cinta cortada

S/9.26

S/6.38

S/4.55

S/3.64

S/3.39

Envase tipo carrete

S/3.39

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

RH6G040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.20
5,985Se espera el 19/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
RH6G040BGTB1

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755-RH6G040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

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5,985Se espera el 19/06/2026

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S/4.44

S/3.70

S/3.26

Envase tipo carrete

S/3.21

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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

95 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

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