Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS_(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

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Resultados: 22

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Enhancement

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Enhancement

AEC-Q101

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1 Channel

30 V

49 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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S/2.06

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S/1.28

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1 Channel

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Enhancement

AEC-Q101

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S/1.42

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SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

30 V

37 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

75 A

4.2 mOhms

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Enhancement

Reel

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DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

62 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

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31.3 W

Enhancement

Reel

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S/1.58

S/1.24

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SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

51 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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Reel, Cut Tape

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PJQ4530P_R2_00201
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1 Channel

30 V

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Panjit
1: S/10.12
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5520-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5520AUR2002A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

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Cinta cortada

S/10.12

S/6.50

S/4.44

S/3.67

Envase tipo carrete

S/2.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

152 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ5522-AU_R2_002A1
Panjit
3,000: S/2.60
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PJQ5522-AU_R2_002A1

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241-PJQ5522AUR2002A1

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S/2.60

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

29.6 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16.7 A
29.6 A
36 A
37 A
38 A
39 A
45 A
49 A
51 A
55 A
58 A
61 A
62 A
65 A
68 A
73 A
75 A
80 A
85 A
93 A

3.3 W
18 W
19.2 W
21.4 W
23 W
25 W
26.6 W
27.8 W
30 W
31.3 W
32 W
33 W
35.7 W
37.5 W
38 W
41.7 W
43 W
45.5 W
50 W
79 W