Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS_(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

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Resultados: 22

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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Cinta cortada

S/4.79

S/3.01

S/1.98

S/1.54

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.19

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: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4528P-AU_R2_002A1
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Cinta cortada

S/5.37

S/3.37

S/2.23

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.30

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

55 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.7 nC

- 55 C

+ 175 C

32 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4526P-AU_R2_002A1
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Cinta cortada

S/4.36

S/2.73

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

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SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

65 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4530P-AU_R2_002A1
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Cinta cortada

S/4.55

S/2.83

S/1.86

S/1.46

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Envase tipo carrete

S/1.11

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ4534P-AU_R2_002A1
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S/4.63

S/2.90

S/1.90

S/1.47

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

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: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

38 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

21.4 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ5524-AU_R2_002A1
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Cinta cortada

S/6.97

S/4.44

S/2.96

S/2.33

Envase tipo carrete

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Ver

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

30 V

93 A

3.6 mOhms

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2.5 V

21 nC

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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S/4.55

S/2.83

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

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SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

30 V

85 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

41.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

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S/5.88

S/3.72

S/2.48

S/1.95

S/1.77

Envase tipo carrete

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N-Channel

1 Channel

30 V

73 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ5526_R2_00201
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S/4.36

S/2.73

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

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Ver

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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

30 V

68 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5528-AU_R2_002A1
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S/5.45

S/3.44

S/2.28

S/1.79

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.43

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SMD/SMT

DFN-5060-8

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1 Channel

30 V

61 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

31.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ5528_R2_00201
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S/4.09

S/2.56

S/1.67

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

30 V

58 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ5530-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.61
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Cinta cortada

S/5.61

S/3.53

S/2.34

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16.7 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ5530_R2_00201
Panjit
1: S/3.58
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Cinta cortada

S/3.58

S/2.23

S/1.45

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.864

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

30 V

49 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

27.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ5534-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.37
3,000En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
PJQ5534-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5534AUR2002A1

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Cinta cortada

S/5.37

S/3.37

S/2.23

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

39 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ5534_R2_00201
Panjit
1: S/3.31
2,995En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5534_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5534_R2_00201

Nuevo en Mouser

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

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2,995En existencias

Cinta cortada

S/3.31

S/2.07

S/1.34

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.794

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

30 V

37 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

19.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4524P_R2_00201
Panjit
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Nuevo producto

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Envase tipo carrete

S/1.11

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

75 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4526P_R2_00201
Panjit
5,000: S/0.93
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
PJQ4526P_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4526PR200201

Nuevo producto

Panjit

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.93

S/0.837

S/0.798

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

62 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4528P_R2_00201
Panjit
1: S/3.58
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
PJQ4528P_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4528PR200201

Nuevo producto

Panjit

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/3.58

S/2.23

S/1.45

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.814

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

51 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

26.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4530P_R2_00201
Panjit
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
PJQ4530P_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4530PR200201

Nuevo producto

Panjit

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.743

S/0.716

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

45 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4534P_R2_00201
Panjit
1: S/3.27
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
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N.º de artículo de Mouser
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Nuevo producto

Panjit

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/3.27

S/2.03

S/1.31

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

36 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ5520-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/9.73
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N.º de artículo del Fabricante
PJQ5520-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5520AUR2002A1

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Panjit

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Cinta cortada

S/9.73

S/6.27

S/4.32

S/3.44

S/3.31

Envase tipo carrete

S/3.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

152 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ5522-AU_R2_002A1
Panjit
3,000: S/2.75
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PJQ5522-AU_R2_002A1

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241-PJQ5522AUR2002A1

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Envase tipo carrete

S/2.75

S/2.58

S/2.50

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

29.6 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16.7 A
29.6 A
36 A
37 A
38 A
39 A
45 A
49 A
51 A
55 A
58 A
61 A
62 A
65 A
68 A
73 A
75 A
80 A
85 A
93 A

3.3 W
18 W
19.2 W
21.4 W
23 W
25 W
26.6 W
27.8 W
30 W
31.3 W
32 W
33 W
35.7 W
37.5 W
38 W
41.7 W
43 W
45.5 W
50 W
79 W