Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.

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Resultados: 15

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

SIS5712DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.82
11,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS5712DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS5712DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

11,322En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/4.98

S/3.35

S/2.65

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

55.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

39.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

SiSS5623DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.35
3,423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiSS5623DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS5623DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

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Hoja de datos

3,423En existencias

S/10.35

S/6.66

S/4.55

S/3.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8S

P-Channel

1 Channel

60 V

36.2 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

21.8 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 62A

SISD5300DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.34
4,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISD5300DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISD5300DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 62A

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Hoja de datos

4,383En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/5.99

S/4.13

S/3.28

S/3.04

Envase tipo carrete

S/3.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-F-8

N-Channel

1 Channel

30 V

198 A

870 uOhms

- 12 V, 16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V

SiSS4402DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.04
12,328En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiSS4402DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS4402DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V

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Hoja de datos

12,328En existencias

S/10.04

S/6.46

S/4.44

S/3.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8S

N-Channel

1 Channel

40 V

128 A

2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

2.5 V

46.7 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS140ELNW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.93
2,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS140ELNW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS140ELNW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

2,881En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.40

S/2.94

S/2.32

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

153 A

3.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQS180ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.58
2,875En existencias
3,000Se espera el 28/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQS180ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS180ENW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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2,875En existencias

3,000Se espera el 28/05/2026

Cinta cortada

S/6.58

S/4.16

S/2.78

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

72 A

8.67 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ140E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.29
3,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ140E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ140E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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3,175En existencias

Cinta cortada

S/18.29

S/12.07

S/8.52

S/7.32

Envase tipo carrete

S/6.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

701 A

530 uOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

288 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

SQS174ELNW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.40
2,120En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS174ELNW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS174ELNW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

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2,120En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.15

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SLW

N-Channel

1 Channel

72 V

87 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

103 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

SIS176LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.50
18,949En existencias
12,000Se espera el 19/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIS176LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS176LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

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18,949En existencias

12,000Se espera el 19/11/2026

Cinta cortada

S/6.50

S/4.13

S/2.74

S/2.15

Envase tipo carrete

S/1.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

70 V

42.3 A

10.9 mOhms

- 12 V, 12 V

1.6 V

12.6 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S

SISS63DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.20
22,435En existencias
18,000Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SISS63DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS63DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S

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Hoja de datos

22,435En existencias

18,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/7.20

S/4.52

S/2.97

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8S

P-Channel

1 Channel

20 V

127.5 A

2.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

72.2 nC, 157.2 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 4A N/P CH FET

SIS590DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
844En existencias
6,000Se espera el 8/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIS590DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS590DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 4A N/P CH FET

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844En existencias

6,000Se espera el 8/06/2026

Cinta cortada

S/7.71

S/4.75

S/3.13

S/2.46

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

4 A

186 mOhms, 338 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC, 22.4 nC

- 55 C

+ 150 C

17.9 W, 23.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQS414CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.40
2,590En existencias
66,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQS414CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS414CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

2,590En existencias

66,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/4.40

S/2.76

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24.7A

SISH536DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.52
8,281En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SISH536DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH536DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24.7A

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Hoja de datos

8,281En pedido

Cinta cortada

S/4.52

S/2.79

S/1.84

S/1.44

S/1.30

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

67.4 A

3.25 mOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

16.6 nC

- 55 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V

SQS142ELNW
Vishay / Siliconix
1: S/6.03
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS142ELNW

N.º de artículo de Mouser
78-SQS142ELNW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.75

S/2.44

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

86 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

SQS180ELNW
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS180ELNW

N.º de artículo de Mouser
78-SQS180ELNW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.52

S/2.97

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

82 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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