Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

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Resultados: 69

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm

TK4P50D(T6RSS-Q)
Toshiba
2,000: S/1.87
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4P50D(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4P50DT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm

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S/1.87

S/1.77

S/1.75

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Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

4 A

2 Ohms

80 W

MOSVII

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45

TK4P55DA(T6RSS-Q)
Toshiba
2,000: S/1.87
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4P55DA(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4P55DAT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45

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Envase tipo carrete

S/1.87

S/1.77

S/1.75

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

550 V

3.5 A

2.45 Ohms

80 W

MOSVII

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75

TK5A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/6.03
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TK5A45DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A45DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75

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S/6.03

S/2.85

S/2.55

S/2.00

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

4.5 A

1.75 Ohms

30 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM

TK5A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/7.24
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TK5A53D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM

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S/7.24

S/3.48

S/3.11

S/2.50

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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

525 V

5 A

1.5 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm

TK5A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/7.94
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TK5A60D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A60DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm

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S/7.94

S/3.85

S/3.51

S/2.90

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm

TK5A65DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/8.76
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TK5A65DA(STA4,Q,M)

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757-TK5A65DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm

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S/8.76

S/4.28

S/3.82

S/3.06

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.67 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm

TK5P53D(T6RSS-Q)
Toshiba
2,000: S/2.45
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TK5P53D(T6RSS-Q)

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757-TK5P53DT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm

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S/2.45

S/2.34

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

5 A

1.5 Ohms

80 W

MOSVII

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35

TK6A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/6.77
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TK6A45DA(STA4,Q,M)

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757-TK6A45DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35

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S/6.77

S/3.24

S/2.90

S/2.30

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

5.5 A

1.35 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm

TK6A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/7.24
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TK6A50D(STA4,Q,M)

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757-TK6A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm

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S/7.24

S/3.48

S/3.11

S/2.50

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

1.4 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm

TK6A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/7.90
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

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TK6A53D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK6A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm

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S/7.90

S/4.16

S/3.33

S/2.71

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

1.3 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48

TK6A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/7.86
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TK6A55DA(STA4,Q,M)

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757-TK6A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48

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S/7.86

S/4.16

S/3.32

S/2.70

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

5.5 A

1.48 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm

TK6P53D(T6RSS-Q)
Toshiba
2,000: S/2.59
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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TK6P53D(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P53DT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm

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Envase tipo carrete

S/2.59

S/2.49

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

1.3 Ohms

100 W

MOSVII

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm

TK7A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/7.47
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7A45DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A45DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm

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S/7.47

S/3.93

S/3.16

S/2.55

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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

6.5 A

1.2 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25

TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/8.10
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25

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S/8.10

S/3.93

S/3.51

S/2.88

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

7 A

1.25 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98

TK7A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/11.09
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98

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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/11.09

S/5.53

S/4.98

S/4.05

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

980 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22

TK7P50D(T6RSS-Q)
Toshiba
2,000: S/2.59
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7P50D(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7P50DT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.59

S/2.49

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7 A

1.22 Ohms

100 W

MOSVII

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm

TK8A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/9.46
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK8A55DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm

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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/9.46

S/4.63

S/4.16

S/3.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

7.5 A

1.07 Ohms

40 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 450V 40W 800pF 0.77

TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/8.49
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK9A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK9A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 450V 40W 800pF 0.77

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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/8.49

S/4.16

S/3.70

S/3.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

9 A

770 mOhms

40 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83

TK9A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/10.39
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK9A60D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK9A60DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83

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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/10.39

S/5.14

S/4.63

S/3.73

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

830 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

π-MOS VII MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.7 A
4 A
4.5 A
5 A
5.5 A
6 A
6.5 A
7 A
7.5 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A

27 mOhms
70 mOhms
139 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
390 mOhms
400 mOhms
460 mOhms
480 mOhms
500 mOhms
520 mOhms
550 mOhms
570 mOhms
580 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
720 mOhms
760 mOhms