ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifiers

Analog Devices ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifiers are pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifier that operates from 18GHz to 44GHz. The amplifier provides a gain of 21.5dB, an output power for 1dB compression (P1dB) of 31dBm, and a typical output third-order intercept (IP3) of 41dBm. The ADPA7007 requires 1400mA from a 5V supply on the supply voltage (VDD) and features inputs and outputs that are internally matched to 50Ω, facilitating integration in multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025mm wire bonds less than 0.31mm long.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
NF - Figura de ruido
Tipo
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tecnología
P1dB: punto de compresión
OIP3: punto de intersección de tercer orden
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF 31 dBm P1dB, 20 dB gain
Hoja de datos
404En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

20 GHz to 44 GHz 5 V 1.4 A 20.5 dB 6 dB Power Amplifiers SMD/SMT CLCC-HS-18 GaAs 29 dBm 42.5 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF 31 dBm P1dB, 20 dB gain
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

20 GHz to 44 GHz 5 V 1.4 A 20.5 dB 6 dB SMD/SMT CLCC-HS-18 GaAs 29 dBm 41 dBm - 40 C + 85 C Reel