Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 16

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

TK090U65Z,RQ
Toshiba
1: S/31.10
1,035En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK090U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK090U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

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1,035En existencias

Cinta cortada

S/31.10

S/13.70

Envase tipo carrete

S/13.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110N65Z,S1F
Toshiba
1: S/29.23
432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK110N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

432En existencias

S/29.23

S/15.49

S/14.29

S/12.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN

TK099V65Z,LQ
Toshiba
1: S/28.73
7,394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK099V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK099V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN

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7,394En existencias

Cinta cortada

S/28.73

S/19.42

S/14.67

S/14.64

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Envase tipo carrete

S/11.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK090A65Z,S4X
Toshiba
1: S/24.72
353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK090A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK090A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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Hoja de datos

353En existencias

S/24.72

S/12.65

S/11.83

S/10.39

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247

TK090N65Z,S1F
Toshiba
1: S/34.84
2En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK090N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK090N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247

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2En existencias

Cinta cortada

S/34.84

S/19.89

Envase tipo carrete

S/19.89

S/16.70

S/15.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

TK110U65Z,RQ
Toshiba
1: S/26.55
3,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK110U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

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3,792En existencias

Cinta cortada

S/26.55

S/13.82

S/11.29

Envase tipo carrete

S/11.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

86 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

TK190U65Z,RQ
Toshiba
1: S/17.91
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK190U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK190U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

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2,000En existencias

Cinta cortada

S/17.91

S/7.67

S/6.62

Envase tipo carrete

S/6.58

S/6.34

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

149 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

TK065U65Z,RQ
Toshiba
1: S/34.57
1,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK065U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK065U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

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Hoja de datos

1,180En existencias

Cinta cortada

S/34.57

S/23.67

S/18.76

S/17.63

Envase tipo carrete

S/17.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

TK095N65Z5,S1F
Toshiba
1: S/32.62
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK095N65Z5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK095N65Z5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

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Hoja de datos

30En existencias

S/32.62

S/20.05

S/16.85

S/15.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

50 nC

+ 150 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ

TK10P50W,RQ
Toshiba
1: S/11.64
299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10P50W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10P50WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ

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Hoja de datos

299En existencias

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.45

S/4.24

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

9.7 A

430 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V

TK040N65Z,S1F
Toshiba
1: S/48.81
3,217Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK040N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK040N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V

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Hoja de datos

3,217Se espera el 17/09/2026

S/48.81

S/31.76

S/31.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

57 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ

TK10E80W,S1X
Toshiba
1: S/22.38
90Se espera el 25/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK10E80W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK10E80WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ

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Hoja de datos

90Se espera el 25/05/2026

S/22.38

S/11.72

S/10.67

S/8.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9.5 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247

TK065N65Z,S1F
Toshiba
1: S/36.78
173En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK065N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK065N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247

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Hoja de datos

173En pedido

Cinta cortada

S/36.78

S/21.76

Envase tipo carrete

S/21.76

S/19.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T)

TK040Z65Z,S1F
Toshiba
1: S/47.53
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK040Z65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK040Z65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T)

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No en existencias

Cinta cortada

S/47.53

S/29.35

Envase tipo carrete

S/29.35

S/27.68

Min.: 1
Mult.: 1

: 25

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

57 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ

TK090Z65Z,S1F
Toshiba
1: S/29.31
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK090Z65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK090Z65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ

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Hoja de datos

No en existencias

S/29.31

S/18.61

S/15.49

S/14.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

TK155U65Z,RQ
Toshiba
2,000: S/8.45
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK155U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK155U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

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No en existencias

Envase tipo carrete

S/8.45

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

122 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel

DTMOSVI MOSFETs

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