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QPD1013SR

Name: Qorvo QPD1013SR
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1013SR
Price: 701.7 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPD1013SR

Fabricante N.º:

QPD1013SR

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

Hoja de datos:

QPD1013SR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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200	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Id - Corriente de drenaje continua:	1.7 A
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	67 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single Triple Drain
Kit de desarrollo:	QPD1013EVB01
Ganancia:	21.8 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta:	65 V
Frecuencia de trabajo máxima:	2.7 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	1.2 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	178 W
Empaquetado:	Reel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1013
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Alias de las piezas n.º:	QPD1013
Peso de la unidad:	7.792 g

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Hoja de datos

QPD1013SR Hoja de datos (PDF)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8517620000
ECCN:: EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single-stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.