Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 59

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

BSC052N03LS
Infineon Technologies
1: S/3.85
3,374En existencias
5,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

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3,374En existencias

5,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/3.85

S/1.87

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.919

Ver

MouseReel Disponible

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

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57 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NS
Infineon Technologies
1: S/7.94
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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45En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/4.98

S/3.29

S/2.60

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Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

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100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: S/4.48
1,073En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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1,073En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/4.48

S/2.76

S/1.81

S/1.41

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Envase tipo carrete

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TDSON-8

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30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/9.38
61En existencias
4,890Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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61En existencias

4,890Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/9.38

S/5.96

S/4.05

S/3.25

Ver

Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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- 20 V, 20 V

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78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0902NS
Infineon Technologies
1: S/7.16
79En existencias
15,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0902NS

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726-BSZ0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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79En existencias

15,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/7.16

S/4.05

S/2.99

S/2.37

Ver

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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TSDSON-8

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+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSI
Infineon Technologies
1: S/4.90
3,557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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3,557En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.02

S/1.98

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

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37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MS G
Infineon Technologies
1: S/4.98
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

S/4.98

S/3.55

S/2.21

S/1.53

Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

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TSDSON-8

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40 A

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+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/5.92
699En existencias
5,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

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726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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699En existencias

5,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/5.92

S/3.65

S/2.41

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Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

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13 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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681En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3 G

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726-IPB072N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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681En existencias

1,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/21.64

S/14.17

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

150 V

100 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
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477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB081N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB081N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

477En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.45

S/3.66

S/3.03

Envase tipo carrete

S/2.57

Ver

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

60 V

50 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC019N04NS G
Infineon Technologies
1: S/7.79
339En existencias
20,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N04NS G

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726-BSC019N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

339En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/7.79

S/4.90

S/3.26

S/2.37

Ver

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

29 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.34
4,158En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,158En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/7.98

S/5.49

S/4.59

Ver

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC120N03LS G
Infineon Technologies
1: S/3.97
5,272En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC120N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC120N03LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

5,272En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.83

S/1.76

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.779

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

39 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1: S/5.76
24En existencias
5,000Se espera el 1/04/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ035N03MS G

N.º de artículo de Mouser
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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

24En existencias

5,000Se espera el 1/04/2027

Cinta cortada

S/5.76

S/3.63

S/2.41

S/1.88

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

113 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ050N03MS G
Infineon Technologies
1: S/5.88
730En existencias
5,000Se espera el 6/05/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03MSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

730En existencias

5,000Se espera el 6/05/2027

Cinta cortada

S/5.88

S/3.26

S/2.41

S/1.98

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC031N06NS3 G
Infineon Technologies
1: S/11.64
138En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BSC031N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC031N06NS3G

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

138En existencias

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.22

S/4.48

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1: S/4.20
4,600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

4,600En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.58

S/1.70

S/1.34

Envase tipo carrete

S/0.895

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

58 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NS
Infineon Technologies
1: S/6.42
2,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,876En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/3.97

S/2.60

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC093N04LS G
Infineon Technologies
1: S/3.89
7,103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC093N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

7,103En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.76

S/1.72

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.759

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LS
Infineon Technologies
1: S/8.52
30,000Se espera el 25/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ019N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

30,000Se espera el 25/02/2027

Cinta cortada

S/8.52

S/5.41

S/3.65

S/2.95

Ver

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ110N06NS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.34
24,995En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

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S/6.34

S/3.36

S/2.53

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/13.70
7,631En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/13.70

S/8.91

S/6.27

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0909NS
Infineon Technologies
1: S/4.24
9,065Se espera el 4/02/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0909NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0909NS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

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9,065Se espera el 4/02/2027

Cinta cortada

S/4.24

S/2.57

S/1.67

S/1.34

Ver

Envase tipo carrete

S/0.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

34 V

36 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ130N03LS G
Infineon Technologies
1: S/3.89
9,935En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ130N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ130N03LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/3.89

S/2.44

S/1.59

S/1.22

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.817

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

16.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB029N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/12.49
1En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB029N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB029N06N3G

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/12.49

S/8.06

S/5.53

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.97

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
13 A
18 A
20 A
21 A
29 A
33 A
35 A
36 A
39 A
40 A
44 A
49 A
50 A
57 A
58 A
63 A
73 A
80 A
81 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.3 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
23 nC
25 nC
26 nC
29 nC
31 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
35 W
37 W
38 W
48 W
50 W
57 W
63 W
69 W
71 W
74 W
78 W
79 W
83 W
96 W