Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS

BSC0904NSI
Infineon Technologies
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BSC0904NSI

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726-BSC0904NSI

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS

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S/2.83

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
1: S/8.21
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N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LS

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726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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S/8.21

S/5.25

S/3.64

S/3.08

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC109N10NS3 G
Infineon Technologies
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BSC109N10NS3 G

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Infineon Technologies

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S/8.17

S/5.25

S/3.53

S/2.81

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
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7,781En existencias
10,000Se espera el 30/07/2026

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BSC520N15NS3 G

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726-BSC520N15NS3GXT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/5.80

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S/2.10

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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BSZ019N03LS

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726-BSZ019N03LS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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S/4.87

S/3.37

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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Infineon Technologies
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BSZ035N03MS G

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726-BSZ035N03MSG

Infineon Technologies

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S/3.34

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69 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ050N03LS G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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S/1.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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BSZ0902NS

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726-BSZ0902NS

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48 W

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Infineon Technologies
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2,683En existencias

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IPB108N15N3 G

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S/15.18

S/10.08

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Infineon Technologies
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12,350En existencias
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S/11.64

S/7.55

S/5.22

S/4.36

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Enhancement

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BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
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BSC060N10NS3 G

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NRND

Infineon Technologies

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S/10.59

S/6.77

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Envase tipo carrete

S/3.10

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TDSON-8

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90 A

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Enhancement

OptiMOS

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IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB081N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB081N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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522En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.50

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.47

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB029N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/11.64
261En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB029N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB029N06N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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261En existencias

Cinta cortada

S/11.64

S/7.51

S/5.37

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.85

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC019N04NS G
Infineon Technologies
1: S/7.20
265En existencias
5,000Se espera el 3/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC019N04NSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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265En existencias

5,000Se espera el 3/02/2027

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

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Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

29 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1: S/4.13
10,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

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10,250En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.57

S/1.68

S/1.29

Envase tipo carrete

S/0.919

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

58 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.63
20,052En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC067N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC067N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

20,052En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.90

S/3.38

S/2.86

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NS
Infineon Technologies
1: S/4.98
46En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

46En existencias

Cinta cortada

S/4.98

S/3.13

S/2.07

S/1.70

Ver

Envase tipo carrete

S/1.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NS
Infineon Technologies
1: S/4.98
5,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

5,127En existencias

Cinta cortada

S/4.98

S/3.13

S/2.07

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.19

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: S/3.23
5,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

5,007En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.02

S/1.31

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.705

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

63 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC093N04LS G
Infineon Technologies
1: S/3.81
42,178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC093N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

42,178En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.34

S/1.60

S/1.26

Envase tipo carrete

S/0.821

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC100N06LS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.66
18,110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC100N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

18,110En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.81

S/2.30

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Envase tipo carrete

S/1.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC190N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/11.13
4,303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC190N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC190N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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4,303En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/5.14

S/4.32

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Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/6.81
1,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

1,599En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.88

S/2.36

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Envase tipo carrete

S/1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
1: S/3.78
12,859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ060NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ060NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

12,859En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/2.32

S/1.59

S/1.25

Envase tipo carrete

S/0.814

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0909NS
Infineon Technologies
1: S/3.35
402En existencias
10,000Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0909NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0909NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

402En existencias

10,000Se espera el 17/12/2026

Cinta cortada

S/3.35

S/2.07

S/1.35

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.634

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

34 V

36 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
13 A
18 A
20 A
21 A
29 A
33 A
35 A
36 A
39 A
40 A
44 A
48 A
49 A
50 A
57 A
58 A
63 A
73 A
78 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
23 nC
25 nC
26 nC
29 nC
31 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
35 W
37 W
38 W
48 W
50 W
57 W
63 W
69 W
71 W
74 W
78 W
79 W
83 W