Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options.

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Resultados: 104

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 2.1A

BUK6D210-60EX
Nexperia
1: S/2.02
33,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D210-60EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D210-60EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 2.1A

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Hoja de datos

33,000En pedido

Cinta cortada

S/2.02

S/1.25

S/1.20

S/0.798

Envase tipo carrete

S/0.452

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

5.7 A

210 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

3.8 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A

BUK6D23-40EX
Nexperia
1: S/3.15
48,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D23-40EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D23-40EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A

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48,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.15

S/1.94

S/1.41

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.716

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 100V 3.7A N-CH TRENCH

BUK6D385-100EX
Nexperia
1: S/2.45
17,897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D385-100EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D385-100EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 100V 3.7A N-CH TRENCH

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Hoja de datos

17,897En pedido

Cinta cortada

S/2.45

S/1.51

S/1.44

S/0.965

Envase tipo carrete

S/0.557

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.7 A

385 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

6.8 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 40V 6A

BUK6D43-40PX
Nexperia
1: S/2.88
29,566Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D43-40PX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D43-40PX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 40V 6A

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29,566Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.88

S/1.78

S/1.64

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

P-Channel

1 Channel

40 V

14 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5A

BUK6D43-60EX
Nexperia
1: S/3.15
11,719Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D43-60EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D43-60EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5A

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11,719Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.15

S/2.03

S/1.48

S/1.30

Envase tipo carrete

S/0.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

13 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A

BUK9D23-40EX
Nexperia
1: S/3.15
22,990Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK9D23-40EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9D23-40EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A

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22,990Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.15

S/1.94

S/1.41

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.716

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

23 mOhms

- 15 V, 15 V

1.4 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.2A

PMN30XPAX
Nexperia
1: S/2.84
27,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMN30XPAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN30XPAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.2A

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Hoja de datos

27,000En pedido

Cinta cortada

S/2.84

S/1.75

S/1.27

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.638

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-457-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.2 A

33 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 4.2A

PMN40ENAX
Nexperia
1: S/2.53
62,576Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMN40ENAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN40ENAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 4.2A

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62,576Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.53

S/1.57

S/1.49

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-457-6

N-Channel

1 Channel

60 V

4.2 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 100V 1.2A

PMV240SPR
Nexperia
1: S/3.23
17,995Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV240SPR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV240SPR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 100V 1.2A

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Hoja de datos

17,995Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.23

S/2.01

S/1.46

S/1.29

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

100 V

1.2 A

365 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

1.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 60V 2.2A

PMV100EPAR
Nexperia
1: S/2.72
20,076En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMV100EPAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV100EPAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 60V 2.2A

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Hoja de datos

20,076En pedido

Cinta cortada

S/2.72

S/1.69

S/1.23

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.615

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2.2 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

1.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 2.1A

PMV130ENEAR
Nexperia
1: S/1.56
35,475Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV130ENEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV130ENEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 2.1A

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Hoja de datos

35,475Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/1.56

S/0.95

S/0.903

S/0.599

Envase tipo carrete

S/0.331

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

2.1 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

833 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 6.2A

PMV15ENEAR
Nexperia
1: S/2.72
19,885En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMV15ENEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV15ENEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 6.2A

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Hoja de datos

19,885En pedido

Cinta cortada

S/2.72

S/1.67

S/1.21

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.607

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6.2 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 1.6A

PMV164ENEAR
Nexperia
1: S/1.75
221,831En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMV164ENEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV164ENEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 1.6A

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Hoja de datos

221,831En pedido

Cinta cortada

S/1.75

S/1.20

S/0.786

S/0.685

Envase tipo carrete

S/0.378

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

473 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 6.3A

PMV20XNEAR
Nexperia
1: S/2.18
51,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMV20XNEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV20XNEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 20V 6.3A

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Hoja de datos

51,000En pedido

Cinta cortada

S/2.18

S/1.34

S/1.25

S/0.852

Envase tipo carrete

S/0.487

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.3 A

20 mOhms

- 12 V, 12 V

750 mV

9.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.19 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 40V 1.5A

PMV250EPEAR
Nexperia
1: S/1.44
200,853Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV250EPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV250EPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 40V 1.5A

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Hoja de datos

200,853Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/1.44

S/0.876

S/0.837

S/0.553

Envase tipo carrete

S/0.304

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

1.5 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

890 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A

PMV27UPEAR
Nexperia
1: S/3.08
14,856En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMV27UPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV27UPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A

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Hoja de datos

14,856En pedido

Cinta cortada

S/3.08

S/1.91

S/1.39

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.705

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.6 A

32 mOhms

- 8 V, 8 V

950 mV

22.1 nC

- 55 C

+ 150 C

980 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 100V 1.1A N-CH TRENCH

PMV280ENEAR
Nexperia
1: S/1.36
221,200Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV280ENEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV280ENEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 100V 1.1A N-CH TRENCH

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Hoja de datos

221,200Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/1.36

S/0.833

S/0.779

S/0.525

Envase tipo carrete

S/0.288

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.1 A

385 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 5A

PMV28XPEAR
Nexperia
1: S/2.45
20,323Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV28XPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV28XPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 5A

Obtenga más información

Hoja de datos

20,323Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.45

S/1.52

S/1.10

S/0.965

Envase tipo carrete

S/0.545

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

610 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.8A

PMV30ENEAR
Nexperia
1: S/2.72
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMV30ENEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV30ENEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.8A

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Hoja de datos

24,000En pedido

Cinta cortada

S/2.72

S/1.70

S/1.23

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.619

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

4.8 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.8 nC

- 55 C

+ 175 C

1.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A

PMV30XPEAR
Nexperia
1: S/2.76
131,995En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMV30XPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV30XPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A

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Hoja de datos

131,995En pedido

Cinta cortada

S/2.76

S/1.72

S/1.25

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.623

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.3 A

34 mOhms

- 8 V, 8 V

750 mV

11 nC

- 55 C

+ 150 C

980 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 28V 4A

PMV41XPAR
Nexperia
1: S/2.61
39,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV41XPAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV41XPAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 28V 4A

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Hoja de datos

39,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.61

S/1.61

S/1.17

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

28 V

4 A

50 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W, 7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 3.5A

PMV48XPAR
Nexperia
1: S/3.35
11,604Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV48XPAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV48XPAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 3.5A

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Hoja de datos

11,604Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.35

S/2.09

S/1.52

S/1.34

Envase tipo carrete

S/0.775

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.5 A

55 mOhms

- 12 V, 12 V

750 mV

11 nC

- 55 C

+ 150 C

930 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 4.2A

PMV50EPEAR
Nexperia
1: S/2.65
53,980Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV50EPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV50EPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 4.2A

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Hoja de datos

53,980Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.65

S/1.64

S/1.19

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.592

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4.2 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 3A

PMV60ENEAR
Nexperia
1: S/2.45
29,994Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV60ENEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV60ENEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 3A

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Hoja de datos

29,994Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.45

S/1.51

S/1.09

S/0.954

Envase tipo carrete

S/0.541

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

3 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.8A

PMV65XPEAR
Nexperia
1: S/2.65
26,926Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMV65XPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV65XPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.8A

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Hoja de datos

26,926Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/2.65

S/1.63

S/1.18

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.592

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.3 A

67 mOhms

- 12 V, 12 V

750 mV

9 nC

- 55 C

+ 150 C

890 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Small Signal Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

800 mA
1 A
1.1 A
1.2 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.8 A
3 A
3.1 A
3.2 A
3.3 A
3.4 A
3.5 A
3.7 A

12.2 mOhms
14 mOhms
15 mOhms
16 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
23.5 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
32 mOhms
32.5 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
38 mOhms

800 pC
2.2 nC
2.4 nC
2.5 nC
2.6 nC
3.3 nC
3.6 nC
3.8 nC
4 nC
4.4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.7 nC
4.8 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC
6.7 nC

466 mW
610 mW
660 mW
667 mW
833 mW
890 mW
930 mW
980 mW
1.05 W
1.06 W
1.14 W
1.19 W
1.2 W
1.2 W, 7 W
1.25 W
1.26 W
1.3 W
1.31 W
1.39 W
1.4 W