Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SuperFET® II Power MOSFETs

onsemi SuperFET® II Power MOSFETs are a high voltage MOSFET family utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. SuperFET II MOSFETs are suitable for various AC-DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and high efficiency.

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Resultados: 28

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

FCH190N65F-F155
onsemi
1: S/23.71
6,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH190N65F-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH190N65F_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

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Hoja de datos

6,021En existencias

S/23.71

S/16.58

S/11.52

S/11.48

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20.6 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

FCH060N80-F155
onsemi
1: S/71.86
1,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH060N80-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH060N80_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

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1,487En existencias

S/71.86

S/51.15

S/39.39

S/39.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

58 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

350 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2, 190mohm

FCPF190N60
onsemi
1: S/18.80
715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF190N60

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF190N60

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2, 190mohm

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715En existencias

S/18.80

S/8.80

S/7.90

S/7.20

S/6.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20.2 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

FCPF220N80
onsemi
1: S/22.93
740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF220N80

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF220N80

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

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740En existencias

S/22.93

S/12.65

S/12.07

S/11.17

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

23 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET

FCH110N65F-F155
onsemi
1: S/34.22
613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH110N65F-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH110N65F_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET

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613En existencias

S/34.22

S/20.20

S/17.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET

FCPF380N60E
onsemi
1: S/14.32
1,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF380N60E

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF380N60E

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET

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1,265En existencias

S/14.32

S/9.03

S/5.29

S/5.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.2 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

FCPF650N80Z
onsemi
1: S/16.62
2,016En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF650N80Z

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF650N80Z

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

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2,016En existencias

S/16.62

S/8.68

S/7.28

S/6.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

30.5 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO

FCP104N60F
onsemi
1: S/19.07
835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP104N60F

N.º de artículo de Mouser
512-FCP104N60F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO

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835En existencias

S/19.07

S/13.08

S/12.26

S/11.05

S/10.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

SuperFET II FRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 290 mOhm

FCPF290N80
onsemi
1: S/27.33
720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF290N80

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF290N80

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 290 mOhm

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720En existencias

S/27.33

S/14.67

S/13.08

S/11.33

S/11.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

44 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET

FCH077N65F-F155
onsemi
1: S/42.93
1,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH077N65F-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH077N65F_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET

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1,325En existencias

S/42.93

S/25.61

S/23.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

126 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

FCPF400N80Z
onsemi
1: S/19.03
4,962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF400N80Z

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF400N80Z

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

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4,962En existencias

S/19.03

S/9.89

S/7.86

S/7.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

FCPF850N80Z
onsemi
1: S/9.03
971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF850N80Z

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF850N80Z

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

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Hoja de datos

971En existencias

S/9.03

S/5.57

S/5.45

S/5.29

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

28.4 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 400mohm

FCP400N80Z
onsemi
1: S/13.82
4,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP400N80Z

N.º de artículo de Mouser
512-FCP400N80Z

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 400mohm

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Hoja de datos

4,520En existencias

S/13.82

S/8.02

S/7.47

S/6.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

195 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive

FCP165N60E
onsemi
1: S/14.32
3,508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP165N60E

N.º de artículo de Mouser
512-FCP165N60E

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive

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Hoja de datos

3,508En existencias

S/14.32

S/10.82

S/8.99

S/8.68

S/7.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110mohm

FCP110N65F
onsemi
1: S/28.53
792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP110N65F

N.º de artículo de Mouser
512-FCP110N65F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110mohm

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Hoja de datos

792En existencias

S/28.53

S/15.34

S/14.09

S/11.79

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

SuperFET II FRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

FCB290N80
onsemi
1: S/28.30
395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCB290N80

N.º de artículo de Mouser
512-FCB290N80

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

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Hoja de datos

395En existencias

Cinta cortada

S/28.30

S/19.15

S/14.40

Envase tipo carrete

S/11.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

212 W

Enhancement

SuperFET II

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

FCPF1300N80Z
onsemi
1: S/10.55
819En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF1300N80Z

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF1300N80Z

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

819En existencias

S/10.55

S/7.82

S/5.37

S/4.79

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.3 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

16.2 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET

FCH041N65EFL4
onsemi
1: S/42.90
417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH041N65EFL4

N.º de artículo de Mouser
512-FCH041N65EFL4

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET

Obtenga más información

Hoja de datos

417En existencias

S/42.90

S/35.58

S/34.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

76 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

229 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

SuperFET II UniFET FRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET

FCH041N65EF-F155
onsemi
1: S/60.14
603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH041N65EF-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH041N65EF_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET

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Hoja de datos

603En existencias

S/60.14

S/42.47

S/36.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

76 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

229 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

SuperFET, FRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET

FCH070N60E
onsemi
1: S/33.94
471En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH070N60E

N.º de artículo de Mouser
512-FCH070N60E

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET

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Hoja de datos

471En existencias

S/33.94

S/19.89

S/17.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

52 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

128 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET

FCP190N60E
onsemi
1: S/19.07
1,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP190N60E

N.º de artículo de Mouser
512-FCP190N60E

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,854En existencias

S/19.07

S/9.89

S/9.03

S/7.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.6 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET

FCP190N65F
onsemi
1: S/19.66
2,884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCP190N65F

N.º de artículo de Mouser
512-FCP190N65F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,884En existencias

S/19.66

S/9.61

S/9.23

S/8.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20.6 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

SuperFET II FRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

FCD3400N80Z
onsemi
1: S/4.87
1,062En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCD3400N80Z

N.º de artículo de Mouser
512-FCD3400N80Z

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

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Hoja de datos

1,062En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/4.59

S/3.73

S/3.29

Envase tipo carrete

S/3.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.4 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

SuperFET II

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive

FCH165N60E
onsemi
1: S/23.63
424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH165N60E

N.º de artículo de Mouser
512-FCH165N60E

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive

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Hoja de datos

424En existencias

S/23.63

S/14.91

S/13.43

S/12.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 600V Fast ver

FCP104N60
onsemi
1: S/26.47
1En existencias
800Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
FCP104N60

N.º de artículo de Mouser
512-FCP104N60

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 600V Fast ver

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1En existencias

800Se espera el 26/02/2026

S/26.47

S/14.29

S/13.08

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

SuperFET® II Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

41 mOhms
60 mOhms
68 mOhms
70 mOhms
104 mOhms
110 mOhms
150 mOhms
165 mOhms
168 mOhms
190 mOhms
199 mOhms
220 mOhms
290 mOhms
299 mOhms
380 mOhms
400 mOhms
650 mOhms
850 mOhms
1.3 Ohms
3.4 Ohms

7.4 nC
16.2 nC
22 nC
27 nC
39 nC
43 nC
45 nC
56 nC
57 nC
58 nC
60 nC
63 nC
72 nC
74 nC
78 nC
98 nC
126 nC
128 nC
145 nC
229 nC

24 W
28.4 W
30.5 W
32 W
35.7 W
39 W
40 W
44 W
106 W
125 W
136 W
195 W
208 W
212 W
227 W
298 W
357 W
481 W
500 W
595 W