SuperFET® II Power MOSFETs

onsemi SuperFET® II Power MOSFETs are a high voltage MOSFET family utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. SuperFET II MOSFETs are suitable for various AC-DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and high efficiency.

Resultados: 28
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
Hoja de datos
5,921En existencias
S/29.23
S/15.84
S/14.79
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 168 mOhms 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
Hoja de datos
1,472En existencias
S/72.40
S/47.64
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
705En existencias
S/28.30
S/15.30
S/14.17
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 23 A 220 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
Hoja de datos
1,282En existencias
S/43.21
S/27.36
S/26.16
S/24.44
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 68 mOhms 30 V 5 V 126 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
4,954En existencias
S/19.85
S/10.39
S/9.30
S/8.84
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 20 V 4.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
971En existencias
S/15.53
S/7.94
S/7.16
S/6.34
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 850 mOhms 20 V 4.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 28.4 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
Hoja de datos
753En existencias
S/27.99
S/15.10
S/13.97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 104 mOhms 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
Hoja de datos
2,790En existencias
S/20.94
S/11.52
S/10.47
S/10.04
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 190 mOhms 20 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 290 mOhm
Hoja de datos
678En existencias
S/23.98
S/15.45
S/14.36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 44 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 600V Fast ver
Hoja de datos
787En existencias
S/26.90
S/14.48
S/13.23
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 104 mOhms 20 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET
Hoja de datos
1,727En existencias
S/19.89
S/10.39
S/9.42
S/8.84
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.6 A 190 mOhms 20 V 2.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET
Hoja de datos
1,183En existencias
S/15.26
S/7.20
S/6.81
S/6.11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.2 A 380 mOhms 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
1,990En existencias
S/16.97
S/8.76
S/7.90
S/7.12
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
Hoja de datos
424En existencias
S/28.53
S/15.06
S/15.03
S/14.32
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 165 mOhms 20 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
Hoja de datos
3,168En existencias
S/21.10
S/11.09
S/10.00
S/9.58
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 165 mOhms 20 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110mohm
Hoja de datos
777En existencias
S/29.82
S/16.19
S/15.18
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms 20 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
364En existencias
Cinta cortada
S/32.58
S/17.67
S/16.23
S/14.99
Envase tipo carrete
S/14.99
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 212 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
795En existencias
S/13.90
S/7.05
S/6.34
S/5.68
S/5.45
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.3 Ohms 20 V 4.5 V 16.2 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
Hoja de datos
417En existencias
S/57.06
S/43.71
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 41 mOhms 20 V 3 V 229 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET II UniFET FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 400mohm
Hoja de datos
4,510En existencias
S/18.61
S/9.65
S/8.76
S/8.06
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 400 mOhms 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
2,742En existencias
Cinta cortada
S/11.87
S/5.99
S/5.25
S/4.28
Envase tipo carrete
S/3.74
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 3.4 Ohms 20 V 2.5 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET
Hoja de datos
869En existencias
S/35.62
S/19.23
S/19.11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 70 mOhms 20 V 2.5 V 128 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
Hoja de datos
339En existencias
S/36.01
S/19.50
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms 20 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
Hoja de datos
786En existencias
S/25.11
S/13.39
S/12.22
S/12.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2, 190mohm
Hoja de datos
1,279En existencias
S/18.96
S/9.89
S/8.95
S/8.29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.2 A 199 mOhms 20 V 2.5 V 74 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement SuperFET II Tube