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SIRS5700DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRS5700DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIRS5700DP-T1-RE3
Price: 18.33 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIRS5700DP-T1-RE3

Fabricante N.º:

SIRS5700DP-T1-RE3

Fabricante:

Vishay

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

Hoja de datos:

SIRS5700DP-T1-RE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/18.33	S/18.33
	S/12.14	S/121.40
	S/9.26	S/926.00
	S/8.06	S/4,030.00
	S/7.82	S/7,820.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/6.70	S/20,100.00
	S/6.62	S/39,720.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	144 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	73 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	278 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	122 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	21 ns
Serie:	SiRS5700DP
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns

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Hoja de datos

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET

Vishay SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Vishay SiRS5700DP optimizes power efficiency, and the device's R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. This MOSFET undergoes 100% R_g and UIS testing, guaranteeing reliability. The device also enhances power dissipation and lowers thermal resistance (R_thJC), making it an ideal choice for high-performance applications.