Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDSON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET 13,972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 78 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet 30,921En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET 3,653En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 151 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET
8,992En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 124 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel