Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor Módulos MOSFET Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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