40V TrenchT4 Power MOSFETs

IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs are easy-to-mount N-Channel enhancement MOSFETs housed in international standard packages. The series offers high current handling capability and 175°C maximum operating temperature. These avalanche-rated MOSFETs feature low RDS(on) and a fast intrinsic rectifier. Typical applications for IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs include synchronous buck converters, high current switching power supplies, battery-powered electric motors, resonant-mode power supplies, DC-DC converters, offline uninterruptible power supplies (UPS), primary-side switches, and much more.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2 No en existencias
S/23.39
S/15.34
S/11.41
S/9.54
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET No en existencias
S/25.34
S/16.62
S/12.18
S/10.86
S/9.77
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET No en existencias
S/25.34
S/16.62
S/12.18
S/10.86
S/9.77
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2 No en existencias
S/26.66
S/17.48
S/12.85
S/11.41
S/10.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 36 V 380 A 1 mOhms 15 V 2 V 260 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET No en existencias
S/28.22
S/18.88
S/15.14
S/13.47
S/12.11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP No en existencias
S/21.99
S/14.40
S/10.70
S/8.95
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP No en existencias
S/18.72
S/12.26
S/9.11
S/7.63
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms 15 V 2 V - 55 C + 175 C 340 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET No en existencias
S/23.16
S/15.18
S/11.13
S/9.93
S/8.80
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET No en existencias
S/51.93
S/38.69
S/32.23
S/28.73
S/27.25
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube