Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD TOLL
NTBLS1D5N10MCTXG
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863-NTBLS1D5N10MCTXG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD TOLL
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1
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NTH4L014N120M3P
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863-NTH4L014N120M3P
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1
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S/112.18
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SiC MOSFETS
SiC
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TO-247-4
MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO2
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NTH4L028N170M1
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450 Se espera el 18/02/2026
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863-NTH4L028N170M1
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MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO2
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450 Se espera el 18/02/2026
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-4
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1
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NTH4L040N120M3S
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1
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SiC MOSFETS
SiC
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TO-247-4
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1
NTHL022N120M3S
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56
NTMFS7D5N15MC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56
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S/19.93
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PQFN-8
Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
NXH800H120L7QDSG
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863-NXH800H120L7QDSG
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Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
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IGBT Modules
Si
Screw Mount
PIM-11
IGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
FGY4L100T120SWD
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863-FGY4L100T120SWD
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IGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
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IGBTs
Si
Through Hole
TO-247-4
IGBTs 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
FGY4L75T120SWD
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863-FGY4L75T120SWD
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IGBTs 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
59 En existencias
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S/39.86
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IGBTs
Si
Through Hole
TO-247-4
Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5
FFSB0665B-F085
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863-FFSB0665B-F085
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Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5
859 En existencias
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S/16.62
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S/11.13
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S/6.73
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SiC Schottky Diodes
SMD/SMT
D2PAK-2
MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
NTBG070N120M3S
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863-NTBG070N120M3S
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MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
205 En existencias
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S/28.61
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S/16.08
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
D2PAK-7
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
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NTH4L015N065SC1
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212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L015N065SC1
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-4
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 30A
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FFSH30120ADN-F155
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S/52.12
66 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FFSH30120ADNF155
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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 30A
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SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-247-3
Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5
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FFSD0665B-F085
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853 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-FFSD0665B-F085
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Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5
853 En existencias
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S/11.91
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S/7.75
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S/5.37
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S/4.52
1,000
S/4.40
2,500
S/4.20
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SiC Schottky Diodes
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
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FGH40T120SQDNL4
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259 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-FGH40T120SQDNL4
onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
259 En existencias
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S/38.96
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S/23.08
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE
onsemi NTBGS004N10G
NTBGS004N10G
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1:
S/27.29
680 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTBGS004N10G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE
680 En existencias
1
S/27.29
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S/18.41
100
S/13.70
500
S/12.53
800
S/11.17
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5
FFSB0665B
onsemi
1:
S/11.64
18 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-FFSB0665B
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Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5
18 En existencias
1
S/11.64
10
S/7.51
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S/5.25
500
S/4.94
800
S/3.62
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SiC Schottky Diodes
SMD/SMT
D2PAK-2
Diodos Schottky de SiC SIC DIODE TO220 650V
FFSP0665B
onsemi
1:
S/11.13
76 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-FFSP0665B
onsemi
Diodos Schottky de SiC SIC DIODE TO220 650V
76 En existencias
1
S/11.13
10
S/5.53
100
S/4.94
500
S/3.88
1,000
S/3.82
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Detalles
SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-220-2
IGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
FGH4L50T65MQDC50
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1:
S/42.39
425 En existencias
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo de Mouser
863-FGH4L50T65MQDC50
Pedido especial de fábrica
onsemi
IGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
425 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-4LD
Módulos MOSFET 30KW Q1BOOST FULL SIC
360°
NXH40B120MNQ1SNG
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1:
S/424.40
6 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NXH40B120MNQ1SNG
onsemi
Módulos MOSFET 30KW Q1BOOST FULL SIC
6 En existencias
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MOSFET Modules
SiC
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
NTBLS0D8N08XTXG
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S/27.36
5,970 En pedido
N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS0D8N08XTXG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
5,970 En pedido
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En pedido:
3,970 Se espera el 12/06/2026
2,000 Se espera el 3/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas
1
S/27.36
10
S/18.92
100
S/14.17
2,000
S/11.64
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
+1 imagen
FGHL50T65LQDT
onsemi
1:
S/17.13
450 Se espera el 19/06/2026
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo de Mouser
863-FGHL50T65LQDT
Pedido especial de fábrica
onsemi
IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
450 Se espera el 19/06/2026
1
S/17.13
10
S/11.25
100
S/8.41
450
S/7.47
900
Ver
900
S/6.38
2,700
S/6.03
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
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FGHL50T65LQDTL4
onsemi
1:
S/17.32
450 Se espera el 19/06/2026
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo de Mouser
863-FGHL50T65LQDTL4
Pedido especial de fábrica
onsemi
IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
450 Se espera el 19/06/2026
1
S/17.32
10
S/11.56
100
S/8.87
450
S/7.90
900
Ver
900
S/6.77
2,700
S/6.34
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Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-4
Diodos Schottky de SiC 1200V 40A AUTO SIC SBD
+1 imagen
FFSH40120ADN-F085
onsemi
1:
S/60.72
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-FFSH40120ADNF085
onsemi
Diodos Schottky de SiC 1200V 40A AUTO SIC SBD
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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Mult.: 1
Detalles
SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-247-3
IGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
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FGH4L50T65SQD
onsemi
1:
S/18.65
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-FGH4L50T65SQD
onsemi
IGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
1
S/18.65
10
S/10.35
100
S/8.84
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Mult.: 1
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-4