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BSC010NE2LS

Name: Infineon BSC010NE2LS
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC010NE2LS
Price: 5.76 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSC010NE2LS

Fabricante N.º:

BSC010NE2LS

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

BSC010NE2LS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/5.76	S/5.76
	S/4.05	S/40.50
	S/3.36	S/336.00
	S/3.18	S/1,590.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/2.70	S/13,500.00
	S/2.28	S/22,800.00
25,000	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BSC010NE2LSATMA1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/6.62

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	64 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	96 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	85 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	34 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.7 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC1NE2LSXT SP000776124 BSC010NE2LSATMA1
Peso de la unidad:	110 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

BSC010NE2LS MOSFET

Infineon Technologies BSC010NE2LS MOSFET is a DC-DC Point-of-Load (POL) Topology buck converter which is the most basic SMPS topology. It is widely used throughout the industry to convert a higher input voltage into a lower output voltage. The buck converter (voltage step-down converter) is a non isolated converter, hence galvanic isolation between input and output is not given.

Switch Mode Power Supplies (SMPS)

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies (SMPS) are a cost-effective line that includes high voltage MOSFETs, control ICs, and Silicon Carbide diodes for PFC and PWM stages, as well as low voltage MOSFETs for synchronous rectification. With these SMPS products Infineon supports the trends towards continuously reducing power consumption. Especially versatile is the new CoolMOS™ 600V C6 family which combines good efficiency with attractive pricing, as does our 3rd generation SiC diodes. For synchronous rectification the OptiMOS™ 3 series offers extremely low on-state resistance and low capacitances. Infineon's new control ICs support topologies such as quasi-resonant flyback and LLC.

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.