Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC0702LSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.75
3,273 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC0702LSATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
3,273 En existencias
1
S/7.75
10
S/4.94
100
S/3.33
500
S/2.64
1,000
S/2.27
5,000
S/2.12
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
ISZ0602NLSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.98
3,142 En existencias
5,000 Se espera el 11/06/2026
N.º de artículo de Mouser 726-ISZ0602NLSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
3,142 En existencias
5,000 Se espera el 11/06/2026
1
S/7.98
10
S/5.10
100
S/3.43
500
S/2.93
1,000
Ver
5,000
S/2.21
1,000
S/2.60
2,500
S/2.41
5,000
S/2.21
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
80 V
64 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISZ0702NLSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.28
3,281 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISZ0702NLSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,281 En existencias
1
S/7.28
10
S/4.67
100
S/3.11
500
S/2.46
1,000
S/2.18
5,000
S/2.04
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
86 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISZ0703NLSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.27
11,340 En existencias
5,000 Se espera el 26/11/2026
N.º de artículo de Mouser 726-ISZ0703NLSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
11,340 En existencias
5,000 Se espera el 26/11/2026
1
S/6.27
10
S/3.97
100
S/2.64
500
S/2.07
5,000
S/1.60
10,000
Ver
1,000
S/1.73
10,000
S/1.59
25,000
S/1.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
56 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
8.7 nC
- 55 C
+ 175 C
44 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC0802NLSATMA1
Infineon Technologies
5,000:
S/2.56
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Verificar estado con la fábrica
N.º de artículo de Mouser 726-ISC0802NLSATMA1
Verificar estado con la fábrica
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Comprar
Min.: 5,000 Mult.: 5,000
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
100 V
150 A
3.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC0805NLSATMA1
Infineon Technologies
5,000:
S/1.68
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Verificar estado con la fábrica
N.º de artículo de Mouser 726-ISC0805NLSATMA1
Verificar estado con la fábrica
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Comprar
Min.: 5,000 Mult.: 5,000
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
100 V
71 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
Reel
Perú