Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

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Resultados: 13

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1: S/11.17
25,797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1R4S04PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4S04PB,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Cinta cortada

S/11.17

S/7.24

S/4.98

S/4.01

S/3.75

Envase tipo carrete

S/3.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
1: S/14.29
1,831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1R4F04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4F04PB,LXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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1,831En existencias

Cinta cortada

S/14.29

S/9.34

S/6.50

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPH1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1: S/9.46
4,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R104PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R104PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.16

S/3.50

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Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TKR74F04PB,LXGQ
Toshiba
1: S/22.54
747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TKR74F04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TKR74F04PBLXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

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Cinta cortada

S/22.54

S/15.03

S/10.78

S/9.73

Envase tipo carrete

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

250 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1: S/9.54
16,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW1R104PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1R104PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Cinta cortada

S/9.54

S/4.48

S/3.45

S/3.04

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Envase tipo carrete

S/2.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1: S/11.44
3,359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR7904PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR7904PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Cinta cortada

S/11.44

S/7.40

S/5.10

S/4.13

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Envase tipo carrete

S/3.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1: S/14.17
14,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1R5R04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R5R04PB,LXGQ

Toshiba

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Cinta cortada

S/14.17

S/9.26

S/6.46

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A

XPJ1R004PB,LXHQ
Toshiba
1: S/7.86
2,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPJ1R004PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPJ1R004PBLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A

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Cinta cortada

S/7.86

S/5.29

S/4.48

S/4.32

S/4.09

Envase tipo carrete

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)

TPHR6503PL1,LQ
Toshiba
1: S/12.22
20,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR6503PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR6503PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)

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Cinta cortada

S/12.22

S/7.94

S/5.18

S/4.28

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Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

420 A

410 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

110 nC

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

TPHR9203PL1,LQ
Toshiba
1: S/9.38
15,034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR9203PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR9203PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

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S/9.38

S/6.03

S/4.13

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Envase tipo carrete

S/2.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

320 A

610 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

81 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)

TPH1R204PL1,LQ
Toshiba
1: S/9.15
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R204PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R204PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)

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30,000En pedido

Cinta cortada

S/9.15

S/5.88

S/4.01

S/3.18

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Envase tipo carrete

S/2.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

270 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

74 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)

TPH1R306PL1,LQ
Toshiba
1: S/13.08
20,000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R306PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R306PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)

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20,000Se espera el 16/10/2026

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S/13.08

S/8.52

S/5.92

S/4.79

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S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

280 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

91 nC

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1: S/14.64
9,681Se espera el 3/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPHR7904PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR7904PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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9,681Se espera el 3/07/2026

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S/14.64

S/9.58

S/6.70

S/5.45

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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