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UCC21756QDWRQ1

Name: Texas Instruments UCC21756QDWRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC21756QDWRQ1
Price: 29.86 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-UCC21756QDWRQ1

Fabricante N.º:

UCC21756QDWRQ1

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive ± 10-A  isolated

Hoja de datos:

UCC21756QDWRQ1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/29.86	S/29.86
	S/23.08	S/230.80
	S/21.41	S/535.25
	S/19.54	S/1,954.00
	S/18.65	S/4,662.50
	S/18.14	S/9,070.00
	S/17.67	S/17,670.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/17.28	S/34,560.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:
Serie:	UCC21756
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-16
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Tecnología:	SiC
Tipo:	Single Channel Gate Driver

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UCC21756QDWRQ1 Hoja de datos

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC21756-Q1 Isolated Single-Channel Gate Driver

Texas Instruments UCC21756-Q1 Isolated Single-Channel Gate Driver is designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance, and robustness. UCC21756-Q1 has up to ±10A peak source and sink current. The input side is isolated from the output side with SiO₂ capacitive isolation technology, supporting up to 1.5kV_RMS working voltage, 12.8kV_PK surge immunity with longer than 40-years isolation barrier life, and providing low part-to-part skew, and > 150V/ns common mode noise immunity (CMTI).