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Diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S
Los diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S de ROHM Semiconductor son diodos planares epitaxiales de silicio con bajo voltaje directo y bajo nivel de pérdida por conmutación. Estos diodos ultrarrápidos cuentan con un voltaje inverso máximo de 200 V y un rango de temperatura de almacenamiento de -55°C a 175°C. Los diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S ofrecen una alta capacidad de sobrecarga de corriente. Estos diodos vienen en un paquete TO-277A. Los diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S cumplen con las normas RoHS y son ideales para aplicaciones de rectificación general.