4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
NF - Figura de ruido
Tipo
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tecnología
P1dB: punto de compresión
OIP3: punto de intersección de tercer orden
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Hoja de datos
11,542En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 15,000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G
Hoja de datos
4,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Hoja de datos
7,445En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 12,000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
Carrete: 12,000

4.4 GHz to 5 GHz 1.1 V to 2 V 5.6 mA 19 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 19 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel
Infineon Technologies Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
Carrete: 12,000

3.3 GHz to 4.2 GHz 1.1 V to 2 V 5.8 mA 21 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 18 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel