Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Máx. voltaje VCEO colector-emisor Voltaje de saturación colector-emisor Colector de Corriente Continua a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Dp - Disipación de potencia Paquete / Cubierta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT Module 1400A 1700V 4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I 112En existencias
90Se espera el 11/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 100 A PIM IGBT module 5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT Module 450A 1700V 1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
20Se espera el 28/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 10 A PIM IGBT module Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray