Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia 150 V OptiMOS™ 6

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low R_DS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower R_DS(on), 20% lower FOM_g, and 17% lower FOM_gd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB038N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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S/13.51

S/9.65

S/9.23

Envase tipo carrete

S/8.29

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

156 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP038N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
1,500En existencias
1,000Se espera el 16/02/2026
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S/20.09

S/14.71

S/12.14

S/10.28

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

178 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT034N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.58
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726-IPT034N15NM6ATMA

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S/12.96

S/10.47

S/9.30

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S/7.71

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT047N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.38
1,918Se espera el 28/05/2026
Nuevo producto

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IPT047N15NM6ATMA1

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726-IPT047N15NM6ATMA

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S/15.38

S/10.98

S/10.51

S/8.45

Ver

Envase tipo carrete

S/6.50

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

147 A

4.4 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

IPTC034N15NM6ATMA1
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1,979En existencias
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Infineon Technologies

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S/14.48

S/11.72

S/10.43

S/8.91

Envase tipo carrete

S/8.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

ISC165N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
4,004En existencias
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ISC165N15NM6ATMA1

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726-ISC165N15NM6ATMA

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S/5.10

S/4.05

S/3.42

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Envase tipo carrete

S/2.76

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

15.6 mOhms

20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 175 C

95 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

IPF048N15NM6ATMA1
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333En existencias
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726-IPF048N15NM6ATMA

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S/17.20

S/11.29

S/8.49

S/7.55

Envase tipo carrete

S/6.38

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-7

N-Channel

1 Channel

150 V

146 A

4.6 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPB051N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
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S/8.84

S/6.93

S/5.84

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S/4.90

S/4.71

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Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

139 A

4.8 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB057N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
277En existencias
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IPB057N15NM6ATMA1

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726-IPB057N15NM6ATMA

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/13.12

S/8.56

S/5.96

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.48

S/4.16

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB085N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.18
1,235En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPB085N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB085N15NM6ATMA

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Infineon Technologies

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1,235En existencias

Cinta cortada

S/12.18

S/7.90

S/5.80

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.13

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

90 A

8 mOhms

20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

IPF036N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.97
232En existencias
1,000Se espera el 26/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF036N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF036N15NM6ATMA

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Infineon Technologies

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232En existencias

1,000Se espera el 26/05/2026

Cinta cortada

S/19.97

S/14.64

S/11.83

S/10.59

Envase tipo carrete

S/8.99

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.4 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP057N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.88
927En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPP057N15NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP057N15NM6AKSA

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Infineon Technologies

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927En existencias

S/12.88

S/6.50

S/6.46

S/5.37

Ver

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Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

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