Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia 150 V OptiMOS™ 6

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low R_DS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower R_DS(on), 20% lower FOM_g, and 17% lower FOM_gd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

156 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPB085N15NM6ATMA1
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S/5.76

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S/4.40

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

90 A

8 mOhms

20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

OptiMOS

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IPF036N15NM6ATMA1
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S/15.34

S/11.02

S/9.96

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPP038N15NM6AKSA1
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S/14.56

S/11.91

S/10.55

S/9.38

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PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

178 A

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69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

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IPP057N15NM6AKSA1
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S/7.28

S/6.58

S/5.33

S/4.67

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PG-TO220-3

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211 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

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IPT034N15NM6ATMA1
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S/13.97

S/9.96

S/8.87

Envase tipo carrete

S/8.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPT047N15NM6ATMA1
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S/12.96

S/9.19

S/8.02

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S/7.47

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: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

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1 Channel

150 V

147 A

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234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPTC034N15NM6ATMA1
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S/10.94

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S/9.23

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Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPF048N15NM6ATMA1
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726-IPF048N15NM6ATMA

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S/17.91

S/11.76

S/8.33

S/7.12

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S/6.66

Min.: 1
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SMD/SMT

PG-TO263-7

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150 V

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4 V

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234 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPB051N15NM6ATMA1
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1: S/14.56
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S/14.56

S/9.50

S/6.66

S/5.80

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S/5.02

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

139 A

4.8 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB057N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.01
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IPB057N15NM6ATMA1

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726-IPB057N15NM6ATMA

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S/9.19

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S/4.90

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

ISC165N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
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726-ISC165N15NM6ATMA

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S/6.31

S/4.36

S/3.47

S/3.17

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S/2.96

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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

15.6 mOhms

20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 175 C

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