Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays

Advanced Linear Devices ALD31070x P-Channel EPAD^® MOSFET Arrays are high-precision monolithic quad p-channel MOSFET arrays. These MOSFET arrays belong to the EPAD^®matched pair MOSFET family. The ALD31070x MOSFET arrays are used for low-voltage and low-power small signal applications with low gate threshold voltages of 0V and -0.2V. These arrays are designed for exceptional matching of electrical device characteristics. Fabricated on the same monolithic chip, the ALD31070x arrays offer excellent temperature tracking characteristics. These MOSFET arrays feature a versatile design for various precision analog applications like current mirrors, matching circuits, and current sources.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700SCL
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S/20.01

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SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

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ALD310702ASCL
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S/28.34

S/27.13

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

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4 Channel

8 V

80 mA

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Tube

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ALD310700ASCL
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4 Channel

8 V

80 mA

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ALD310700PCL
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8 V

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1.1 kOhms

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PDIP-16

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8 V

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1.14 kOhms

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P-Channel

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Tube

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P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

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500 mW

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DIP-16

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DIP-16

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ALD310708ASCL
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S/25.03

S/23.47

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SOIC-16

Tube

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ALD310708PCL
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585-ALD310708PCL

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S/25.92

S/25.89

S/24.33

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DIP-16

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SMD/SMT

SOIC-8

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ALD310708SCL
Advanced Linear Devices
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ALD310708SCL

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585-ALD310708SCL

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SOIC-16

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