Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702ASCL
Advanced Linear Devices
1: S/49.71
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ALD310702ASCL

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50En existencias

S/49.71

S/38.89

S/32.39

S/28.84

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SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

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80 mA

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- 8 V, 8 V

180 mV

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+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700SCL
Advanced Linear Devices
1: S/40.87
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S/40.87

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Min.: 1
Mult.: 1

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SOIC-16

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Tube

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Tube

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ALD310700ASCL
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S/28.84

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S/27.87

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PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

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S/22.03

S/20.63

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SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

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500 mW

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Tube

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S/47.76

S/39.78

S/35.46

S/33.16

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

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SOIC-16

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DIP-16

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ALD310704SCL
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SOIC-16

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ALD310708APCL
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S/39.78

S/35.46

S/33.16

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DIP-16

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ALD310708ASCL
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S/38.85

S/32.39

S/28.84

S/26.98

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SOIC-16

Tube

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ALD310708PCL
Advanced Linear Devices
50: S/40.37
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ALD310708PCL

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585-ALD310708PCL

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S/40.37

S/33.63

S/29.97

S/28.03

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DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310708SAL
Advanced Linear Devices
1: S/14.60
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ALD310708SAL

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585-ALD310708SAL

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S/7.43

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SMD/SMT

SOIC-8

Tube

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ALD310708SCL
Advanced Linear Devices
50: S/29.70
No en existencias

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ALD310708SCL

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585-ALD310708SCL

Advanced Linear Devices

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S/29.70

S/24.76

S/22.03

S/20.63

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

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