GaN FETs – Mouser Perú

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PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

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Resultados: 8

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT140R70ILB
STMicroelectronics
1: S/19.31
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT140R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT140R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

700En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/13.51

S/10.12

S/8.99

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Envase tipo carrete

S/7.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

17 A

140 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT240R70ILB
STMicroelectronics
1: S/15.06
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT240R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT240R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

700En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/10.43

S/7.90

S/6.93

Ver

Envase tipo carrete

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

10 A

240 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT190R70ILB
STMicroelectronics
1: S/15.73
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT190R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT190R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

700En existencias

Cinta cortada

S/15.73

S/11.72

S/8.87

S/8.56

Ver

Envase tipo carrete

S/5.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

11.5 A

190 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT105R70ILB
STMicroelectronics
1: S/25.50
693En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT105R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT105R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

693En existencias

Cinta cortada

S/25.50

S/19.81

S/14.99

S/14.48

S/10.55

Envase tipo carrete

S/8.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

21.7 A

105 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

158 W

Enhancement

GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT070R70HTO
STMicroelectronics
1: S/38.77
351En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT070R70HTO

N.º de artículo de Mouser
511-SGT070R70HTO

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

351En existencias

Cinta cortada

S/38.77

S/26.59

S/19.97

S/16.31

Envase tipo carrete

S/16.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

TO-LL-11

700 V

26 A

70 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

231 W

Enhancement

GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT080R70ILB
STMicroelectronics
1: S/26.66
675En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT080R70ILB

N.º de artículo de Mouser
511-SGT080R70ILB

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

675En existencias

Cinta cortada

S/26.66

S/17.94

S/13.00

S/12.18

S/10.59

Envase tipo carrete

S/9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

29 A

80 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT350R70GTK
STMicroelectronics
1: S/10.90
679En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT350R70GTK

N.º de artículo de Mouser
511-SGT350R70GTK

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

679En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3

700 V

6 A

350 mOhms

- 1.4 V, + 7 V

2.5 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT65R65AL
STMicroelectronics
3,000: S/21.33
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SGT65R65AL

N.º de artículo de Mouser
511-SGT65R65AL

STMicroelectronics

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/21.33

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

65 mOhms

+ 6 V

1.8 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

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