Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Módulos MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
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136En existencias
600Se espera el 26/10/2026
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V
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300En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
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214En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
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1,498En existencias
1,750Se espera el 16/11/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 250V
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607En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id180 BVdass100
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510En existencias
750En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
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265En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V
Hoja de datos
1En existencias
300Se espera el 14/09/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 100V 18.0 Rds
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141En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 250V 50 Rds
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169En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id60 BVdass100
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18En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench POWER Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200v, 60A
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56En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds
Hoja de datos
185En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 100V 13.0 Rds
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55En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
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274En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds
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740En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230Amps 100V
Hoja de datos
720Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160A 300V
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25Existencias en fábrica disponibles
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds
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300Existencias en fábrica disponibles
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds
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650Existencias en fábrica disponibles
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id130 BVdass100
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450Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
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1,140Existencias en fábrica disponibles
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
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1,410Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
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1,170Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)