Semiconductores discretos

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Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

IXFK230N20T
IXYS
1: S/136.28
827En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK230N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

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Hoja de datos

827En existencias

S/136.28

S/109.11

S/83.65

S/83.42

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFT94N30T
IXYS
1: S/101.56
132En existencias
300Se espera el 23/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT94N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT94N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

132En existencias

300Se espera el 23/11/2026

S/101.56

S/81.31

S/70.30

S/63.10

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

IXFX420N10T
IXYS
1: S/98.64
236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX420N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX420N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

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Hoja de datos

236En existencias

S/98.64

S/78.98

S/60.53

S/60.37

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

IXFX360N10T
IXYS
1: S/76.10
826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX360N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX360N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

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Hoja de datos

826En existencias

S/76.10

S/57.96

S/41.69

S/40.17

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFH94N30P3
IXYS
1: S/70.34
296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH94N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH94N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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296En existencias

S/70.34

S/53.56

S/38.54

S/37.13

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

IXFX180N25T
IXYS
1: S/94.59
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX180N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX180N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

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300En existencias

S/94.59

S/75.75

S/58.04

S/57.88

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

IXTP86N20T
IXYS
1: S/31.92
744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP86N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP86N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

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744En existencias

S/31.92

S/22.50

S/15.45

S/14.44

S/14.29

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFH86N30T
IXYS
1: S/58.62
297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH86N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH86N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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297En existencias

S/58.62

S/44.65

S/31.80

S/30.95

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 42A N-CH TRENCH

IXTA42N15T
IXYS
1: S/21.53
124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA42N15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA42N15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 42A N-CH TRENCH

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124En existencias

S/21.53

S/14.09

S/10.47

S/8.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

IXTP44N10T
IXYS
1: S/12.69
841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP44N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP44N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

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841En existencias

S/12.69

S/5.92

S/4.59

S/4.20

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

IXTQ76N25T
IXYS
1: S/35.97
248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ76N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ76N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

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248En existencias

S/35.97

S/25.34

S/17.79

S/16.62

S/16.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

IXTA180N10T7
IXYS
1: S/31.92
116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA180N10T7

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA180N10T7

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

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Hoja de datos

116En existencias

S/31.92

S/22.50

S/18.14

S/15.18

S/14.29

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds

IXTA102N15T
IXYS
1: S/26.59
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA102N15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA102N15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds

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Hoja de datos

261En existencias

S/26.59

S/17.79

S/12.77

S/12.69

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

IXTP160N10T
IXYS
1: S/27.48
295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP160N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP160N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

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Hoja de datos

295En existencias

S/27.48

S/14.40

S/12.61

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50Amps 250V

IXTQ50N25T
IXYS
1: S/37.25
263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ50N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ50N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50Amps 250V

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Hoja de datos

263En existencias

S/37.25

S/26.24

S/18.37

S/17.20

S/16.66

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

IXTQ130N10T
IXYS
1: S/30.44
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ130N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ130N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

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Hoja de datos

224En existencias

S/30.44

S/20.36

S/14.44

S/13.51

S/12.85

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 5.4 Rds

IXTH200N10T
IXYS
1: S/48.03
2,813En existencias
180Se espera el 5/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTH200N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH200N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 5.4 Rds

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Hoja de datos

2,813En existencias

180Se espera el 5/10/2026

S/48.03

S/34.76

S/28.92

S/25.77

S/24.09

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Módulos MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

IXFN160N30T
IXYS
1: S/153.91
302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFN160N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN160N30T

IXYS

Módulos MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

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Hoja de datos

302En existencias

S/153.91

S/125.57

S/110.94

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Módulos MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

IXFN420N10T
IXYS
1: S/157.30
179En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFN420N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN420N10T

IXYS

Módulos MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

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Hoja de datos

179En existencias

600En pedido

S/157.30

S/128.30

S/113.35

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

IXTA180N10T
IXYS
1: S/31.49
1,040En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA180N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA180N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

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Hoja de datos

1,040En existencias

1,000Se espera el 27/07/2026

S/31.49

S/17.32

S/15.26

S/14.09

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 250V

IXTH110N25T
IXYS
1: S/50.49
421En existencias
300Se espera el 6/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTH110N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH110N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 250V

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Hoja de datos

421En existencias

300Se espera el 6/07/2026

S/50.49

S/37.64

S/31.33

S/26.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130Amps 200V

IXTH130N20T
IXYS
1: S/47.84
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH130N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH130N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130Amps 200V

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Hoja de datos

240En existencias

S/47.84

S/34.60

S/28.80

S/24.41

S/24.02

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

IXTH160N10T
IXYS
1: S/38.61
382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH160N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH160N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

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Hoja de datos

382En existencias

S/38.61

S/26.39

S/21.72

S/19.35

S/18.10

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

IXTH180N10T
IXYS
1: S/40.64
1,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH180N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH180N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

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Hoja de datos

1,295En existencias

S/40.64

S/27.75

S/22.85

S/20.36

S/19.03

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id180 BVdass100

IXTP180N10T
IXYS
1: S/36.16
872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP180N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP180N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id180 BVdass100

Obtenga más información

Hoja de datos

872En existencias

S/36.16

S/24.72

S/20.36

S/18.14

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

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