AFGYx Field Stop Trench IGBTs

onsemi AFGYx Field Stop Trench IGBTs are AEC-Q101 qualified and feature very low conduction and switching losses. These features allow for a high-efficiency operation in various applications, rugged transient reliability, and low EMI.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
onsemi IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
Hoja de datos
1,771En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 660 W - 55 C + 175 C AFGY100T65SPD Tube
onsemi IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND STEALTH DIODE
Hoja de datos
417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 20 V 240 A 882 W - 55 C + 175 C FGY120T65SPD Tube
onsemi AFGY120T65SPD
onsemi IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE
Hoja de datos
1,027En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 714 W - 55 C + 175 C AFGY120T65SPD Tube