REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

Renesas Electronics REXFET-1 100V and 150V Power MOSFETs use split-gate technology to reduce RDS(ON) and figure of merit (FOM) for high-current applications. The 100V family is available in 3x3 µSO8-FL WF, 5x6 SO8-FL WF, TOLL, TOLG, and TOLT package options, while the 150V family is available in TOLL and TOLT package options. These packages support high power density, strong thermal performance, and high current capability. The REXFET-1 MOSFETs also offer wettable-flank package options for improved solder-joint reliability and automated optical inspection. Qualified to meet JEDEC industrial standards or AEC-Q101 automotive certification, these Renesas MOSFETs are ideal for industrial and automotive applications.

Resultados: 30
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
: 1,300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 20A, 21mOhms, uSO8-FL N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 21 mOhms 20 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel