Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower R_DS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Q_rr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (I_RR), lower voltage spikes (V_peak), and reduced ringing for further optimized dead time.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 80V 270A

PSMN1R8-80SSFJ
Nexperia
1: S/32.07
1,101En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN1R8-80SSFJ

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771-PSMN1R8-80SSFJ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 80V 270A

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Cinta cortada

S/32.07

S/21.88

S/19.50

S/16.47

S/15.45

Envase tipo carrete

S/9.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

SOT-1235-4

N-Channel

1 Channel

80 V

270 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

148 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 100V 267A N-CH MOSFET

PSMN2R0-100SSFJ
Nexperia
1: S/32.07
1,726En existencias

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PSMN2R0-100SSFJ

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771-PSMN2R0-100SSFJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 100V 267A N-CH MOSFET

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S/32.07

S/21.88

S/20.55

S/16.70

S/16.15

Envase tipo carrete

S/9.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

SOT-1235-4

N-Channel

1 Channel

100 V

267 A

2.07 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 65A N-CH MOSFET

PSMN012-100YSFX
Nexperia
1: S/7.32
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PSMN012-100YSFX

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771-PSMN012-100YSFX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 65A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/4.32

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

65 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A

PSMN4R5-80YSFX
Nexperia
1: S/12.96
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N.º de artículo del Fabricante
PSMN4R5-80YSFX

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771-PSMN4R5-80YSFX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A

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Cinta cortada

S/12.96

S/8.45

S/7.86

S/5.88

Envase tipo carrete

S/3.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK56-4

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A

PSMN5R5-100YSFX
Nexperia
1: S/13.58
1,445En existencias

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PSMN5R5-100YSFX

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771-PSMN5R5-100YSFX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A

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Cinta cortada

S/13.58

S/8.76

S/7.94

S/6.03

Envase tipo carrete

S/3.15

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

100 V

115 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 111A N-CH MOSFET

PSMN7R2-100YSFX
Nexperia
1: S/9.15
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PSMN7R2-100YSFX

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771-PSMN7R2-100YSFX

Nexperia

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S/9.15

S/5.88

S/4.01

S/3.20

Envase tipo carrete

S/2.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

111 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 80A N-CH MOSFET

PSMN9R8-100YSFX
Nexperia
1: S/7.51
1,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN9R8-100YSFX

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771-PSMN9R8-100YSFX

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Cinta cortada

S/7.51

S/4.83

S/4.71

S/3.24

Envase tipo carrete

S/2.24

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

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+ 175 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 80V 150A

PSMN3R5-80YSFX
Nexperia
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3,158En existencias

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PSMN3R5-80YSFX

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771-PSMN3R5-80YSFX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 80V 150A

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Cinta cortada

S/14.87

S/9.77

S/9.23

S/6.85

Envase tipo carrete

S/4.98

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 55A N-CH MOSFET

PSMN015-100YSFX
Nexperia
1: S/6.46
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PSMN015-100YSFX

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771-PSMN015-100YSFX

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Cinta cortada

S/6.46

S/4.13

S/3.77

S/2.74

Envase tipo carrete

S/1.65

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

105 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 100V 120A N-CH

PSMN3R9-100YSFX
Nexperia
1: S/14.36
45En existencias
3,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
PSMN3R9-100YSFX

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771-PSMN3R9-100YSFX

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45En existencias

3,000Se espera el 23/02/2026

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S/14.36

S/9.42

S/8.49

S/6.62

Envase tipo carrete

S/4.79

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 80V 170A

PSMN4R2-80YSEX
Nexperia
1: S/13.55
21En existencias
24,000Se espera el 22/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PSMN4R2-80YSEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN4R2-80YSEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 80V 170A

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21En existencias

24,000Se espera el 22/02/2027

Cinta cortada

S/13.55

S/8.84

S/8.68

S/6.19

Envase tipo carrete

S/4.44

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

80 V

170 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 100V 120A N-CH

PSMN4R8-100YSEX
Nexperia
1: S/13.55
42,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PSMN4R8-100YSEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN4R8-100YSEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 100V 120A N-CH

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S/13.55

S/8.84

S/8.68

S/6.19

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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