Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower R_DS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Q_rr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (I_RR), lower voltage spikes (V_peak), and reduced ringing for further optimized dead time.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 80V 150 A

PSMN3R5-80YSFX
Nexperia
1: S/14.79
1,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN3R5-80YSFX

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771-PSMN3R5-80YSFX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 80V 150 A

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Cinta cortada

S/14.79

S/9.61

S/6.77

S/5.68

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A

PSMN5R5-100YSFX
Nexperia
1: S/14.56
961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN5R5-100YSFX

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771-PSMN5R5-100YSFX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A

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Cinta cortada

S/14.56

S/9.54

S/6.66

S/5.41

Envase tipo carrete

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

100 V

115 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 111A N-C H MOSFET

PSMN7R2-100YSFX
Nexperia
1: S/9.77
545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN7R2-100YSFX

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771-PSMN7R2-100YSFX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 111A N-C H MOSFET

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Cinta cortada

S/9.77

S/6.27

S/4.28

S/3.61

S/3.20

Envase tipo carrete

S/3.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

111 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 80A N-CH MOSFET

PSMN9R8-100YSFX
Nexperia
1: S/8.41
1,723En existencias
1,500Se espera el 18/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
PSMN9R8-100YSFX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN9R8-100YSFX

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Cinta cortada

S/8.41

S/5.25

S/3.46

S/2.75

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 100V 120A N- CH

PSMN3R9-100YSFX
Nexperia
1: S/12.65
2,817En existencias

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PSMN3R9-100YSFX

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771-PSMN3R9-100YSFX

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Cinta cortada

S/12.65

S/8.21

S/5.68

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 65A N-CH MOSFET

PSMN012-100YSFX
Nexperia
1: S/7.51
7En existencias

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PSMN012-100YSFX

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771-PSMN012-100YSFX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 65A N-CH MOSFET

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S/7.51

S/4.71

S/3.11

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

65 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 55A N-CH MOSFET

PSMN015-100YSFX
Nexperia
1: S/7.55
4En existencias

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PSMN015-100YSFX

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771-PSMN015-100YSFX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 55A N-CH MOSFET

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S/7.55

S/4.63

S/3.07

S/2.41

Envase tipo carrete

S/1.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

105 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 100V 267A N- CH MOSFET

PSMN2R0-100SSFJ
Nexperia
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23En existencias

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PSMN2R0-100SSFJ

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771-PSMN2R0-100SSFJ

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S/28.77

S/18.84

S/13.90

S/12.34

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S/10.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

SOT-1235-4

N-Channel

1 Channel

100 V

267 A

2.07 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A

PSMN4R5-80YSFX
Nexperia
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PSMN4R5-80YSFX

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S/9.07

S/4.94

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S/3.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK56-4

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 80V 170A

PSMN4R2-80YSEX
Nexperia
1: S/15.06
18,916Se espera el 7/06/2027

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PSMN4R2-80YSEX

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S/15.06

S/9.81

S/6.89

S/5.76

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S/5.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

80 V

170 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 100V 120A N-CH

PSMN4R8-100YSEX
Nexperia
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65,491En pedido

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PSMN4R8-100YSEX

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- 55 C

+ 175 C

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