EL Series High Voltage MOSFETs

Vishay Semiconductors EL Series High Voltage MOSFETs are N-channel MOSFETs that reduces switching and conduction losses. These high voltage MOSFETs feature low Figure-Of-Merit (FOM), low input capacitance, and low gate charge. The EL high voltage MOSFETs operate in 650V drain-to-source voltage (VDS) and employs single configuration. These high voltage MOSFETs come with Unclamped Inductive Switching (UIS) avalanche energy rating. Typical applications for Vishay Semiconductors EL Series High Voltage MOSFETs include server and telecom power supplies, lighting, welding, induction heating, motor drives, and battery chargers.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 21A N-CH MOSFET
Hoja de datos
909En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 197 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIHG No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 69 A 42 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 342 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement