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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 21A N-CH MOSFET 908En existencias
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: 1,000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 197 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK No en existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) No en existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIHG No en existencias
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Mult.: 500

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 69 A 42 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 342 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB No en existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement