Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Resultados: 86

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.90
10,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

10,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/13.90

S/6.97

S/6.31

S/5.14

Ver

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC007N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.41
3,450Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC007N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3,450Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/24.41

S/12.81

S/11.68

S/10.59

S/9.42

Envase tipo carrete

S/9.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

750 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

209 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
5,000Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC097N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC097N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

5,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/4.24

S/2.66

S/1.98

S/1.58

Ver

Envase tipo carrete

S/0.958

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm

BSG0812NDATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/4.16
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSG0812NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSG0812NDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.16

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

25 V

50 A

900 mOhms, 3.5 mOhms

16 V

2 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

6.25 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQD009N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.17
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IQD009N06NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD009N06NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/14.17

S/9.81

S/8.41

Envase tipo carrete

S/7.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

445 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IQD063N15NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.23
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IQD063N15NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD063N15NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/22.23

S/14.87

S/12.03

S/11.41

S/11.33

Envase tipo carrete

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

150 V

148 A

6.32 Ohms

- 10 V, 10 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies
500: S/11.13
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP020N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/11.13

S/10.55

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP020N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/10.28

S/5.06

S/4.55

S/3.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.42
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/22.42

S/11.76

S/10.70

S/8.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies
500: S/6.50
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP027N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP027N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/6.50

S/6.46

S/6.23

S/6.07

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

S/7.12

S/3.40

S/3.04

S/2.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

69 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
16 A
21 A
40 A
41 A
44 A
46 A
47 A
49 A
50 A
69 A
72 A
84 A
85 A
95 A
99 A
100 A
101 A
112 A
120 A

290 uOhms
350 uOhms
580 uOhms
750 uOhms
800 uOhms
850 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.57 mOhms

5.6 nC
10 nC
11 nC
11.1 nC
12.5 nC
15 nC
17 nC
28 nC
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
39 nC
40 nC
43 nC
44 nC
47 nC
48 nC
49 nC
52 nC

2.1 W
2.5 W
3.8 W
6.25 W
26 W
27 W
30 W
36 W
37 W
38 W
42 W
69 W
71 W
79 W
89 W
94 W
96 W
100 W
107 W
125 W