Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
IXFA34N65X3
IXYS
1:
S/38.77
659 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFA34N65X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
659 En existencias
1
S/38.77
10
S/21.72
100
S/20.71
500
S/19.27
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
5.2 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
+1 imagen
IXFP34N65X3
IXYS
1:
S/43.25
684 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFP34N65X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
684 En existencias
1
S/43.25
10
S/31.45
100
S/26.20
500
S/23.36
1,000
S/21.84
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
5.2 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
+1 imagen
IXFH46N65X3
IXYS
1:
S/46.98
290 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFH46N65X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
290 En existencias
1
S/46.98
10
S/35.62
120
S/29.66
510
S/26.43
1,020
S/24.72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
46 A
73 mOhms
- 20 V, 20 V
5.2 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
520 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247
+1 imagen
IXFH70N65X3
IXYS
1:
S/73.26
953 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFH70N65X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247
953 En existencias
1
S/73.26
10
S/54.73
120
S/47.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
70 A
44 mOhms
- 20 V, 20 V
5.2 V
66 nC
- 55 C
+ 150 C
780 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
+1 imagen
IXFH34N65X3
IXYS
1:
S/33.63
144 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFH34N65X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
144 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
5.2 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
+1 imagen
IXFH54N65X3
IXYS
1:
S/56.40
615 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFH54N65X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
615 En existencias
1
S/56.40
10
S/35.62
120
S/32.31
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
59 mOhms
- 20 V, 20 V
5.2 V
49 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
+1 imagen
IXFH90N65X3
IXYS
1:
S/91.12
432 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFH90N65X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
432 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
90 A
33 mOhms
- 20 V, 20 V
5.2 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
960 W
Enhancement
Tube
Perú