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Commercial & Tactical UAV Systems

Littelfuse Commercial and Tactical Unmanned Aerial Vehicle (UAV) Systems offer solutions for Li-Ion battery protection, battery chargers, and power distribution. These systems provide fuses for input protection/overcurrent protection, MOSFETs for semiconductor switching, and TVS diodes for DC output transient/surge protection. The commercial and tactical UAV systems offer battery protection >60V and provide main-pack fault isolation, battery disconnect/power path control (pre-charge support), and branch circuit overcurrent protection. Typical applications include Intelligence, Surveillance, and Reconnaissance (ISR), military, border surveillance, agriculture, delivery/logistics, inspection, and public safety.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFP6N120P
IXYS
1: S/47.02
626En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP6N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

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S/47.02

S/28.45

S/26.59

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N30X3M
IXYS
1: S/49.98
957En existencias

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IXFP72N30X3M

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747-IXFP72N30X3M

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS

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S/49.98

S/28.26

S/26.39

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

IXFT96N20P
IXYS
1: S/62.59
644En existencias

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IXFT96N20P

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747-IXFT96N20P

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

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S/62.59

S/38.34

S/35.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

IXFX120N25P
IXYS
1: S/76.60
170En existencias

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IXFX120N25P

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747-IXFX120N25P

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

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S/76.60

S/52.04

S/50.64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

IXFX24N100Q3
IXYS
1: S/132.70
298En existencias

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IXFX24N100Q3

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747-IXFX24N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

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S/132.70

S/91.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

IXFX360N10T
IXYS
1: S/69.95
825En existencias

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IXFX360N10T

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747-IXFX360N10T

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S/69.95

S/40.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXFX360N15T2
IXYS
1: S/144.29
361En existencias

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IXFX360N15T2

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747-IXFX360N15T2

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S/144.29

S/102.10

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

IXFX94N50P2
IXYS
1: S/107.74
766En existencias

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IXFX94N50P2

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747-IXFX94N50P2

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S/107.74

S/70.73

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET

IXTA32P20T
IXYS
1: S/43.95
1,854En existencias

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IXTA32P20T

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747-IXTA32P20T

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S/43.95

S/26.00

S/23.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A

IXTH02N250
IXYS
1: S/80.03
464En existencias

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IXTH02N250

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747-IXTH02N250

IXYS

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S/80.03

S/55.08

S/54.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 2500V 40 Rds

IXTH1N250
IXYS
1: S/192.29
142En existencias

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IXTH1N250

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747-IXTH1N250

IXYS

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S/192.29

S/147.37

S/143.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds

IXTH24N50L
IXYS
1: S/170.26
285En existencias

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IXTH24N50L

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747-IXTH24N50L

IXYS

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S/170.26

S/129.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A

IXTH500N04T2
IXYS
1: S/77.23
190En existencias

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IXTH500N04T2

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747-IXTH500N04T2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A

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S/77.23

S/57.69

S/44.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

IXTH60N20X4
IXYS
1: S/60.57
354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH60N20X4

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747-IXTH60N20X4

IXYS

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S/60.57

S/34.22

S/33.36

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ4N150
IXYS
1: S/62.24
248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTJ4N150

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747-IXTJ4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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S/62.24

S/35.27

S/35.07

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds

IXTK32P60P
IXYS
1: S/101.05
758En existencias

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IXTK32P60P

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747-IXTK32P60P

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S/101.05

S/68.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds

IXTP48N20T
IXYS
1: S/23.59
681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP48N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP48N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds

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S/23.59

S/12.42

S/10.59

S/9.65

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS

IXTP94N20X4
IXYS
1: S/65.82
719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP94N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP94N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS

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S/65.82

S/38.26

S/38.22

S/37.68

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds

IXTQ22N50P
IXYS
1: S/30.63
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ22N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ22N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds

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S/30.63

S/18.57

S/15.57

S/14.87

S/14.71

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS 5KW AECQ-101 TR13 RoHS

TP5.0SMDJ160CA
Littelfuse
1: S/21.02
5,946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP5.0SMDJ160CA

N.º de artículo de Mouser
576-TP5.0SMDJ160CA

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS 5KW AECQ-101 TR13 RoHS

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Cinta cortada

S/21.02

S/13.97

S/10.55

S/9.38

S/8.60

Envase tipo carrete

S/7.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Fusibles de cartucho 250V .8A Slo-Blo

0215.800MXEP
Littelfuse
1: S/14.05
1,094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
0215.800MXEP

N.º de artículo de Mouser
576-0215.800MXEP

Fusibles de cartucho 250V .8A Slo-Blo

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1,094En existencias

S/14.05

S/12.81

S/12.34

S/9.69

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Min.: 1
Mult.: 1

Fusibles de cartucho 250V .125A Fast Acting

0216.125MXEP
Littelfuse
1: S/11.52
1,006En existencias

N.º de artículo del Fabricante
0216.125MXEP

N.º de artículo de Mouser
576-0216.125MXEP

Fusibles de cartucho 250V .125A Fast Acting

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S/11.52

S/10.16

S/9.58

S/7.86

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Min.: 1
Mult.: 1

Fusibles de montaje en superficie 4A 32V 1206 Fast-Acting AEC-Q200

0437004.WRA
Littelfuse
1: S/6.73
7,524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
0437004.WRA

N.º de artículo de Mouser
576-0437004.WRA

Fusibles de montaje en superficie 4A 32V 1206 Fast-Acting AEC-Q200

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7,524En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/5.96

S/5.64

S/4.55

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Envase tipo carrete

S/2.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Fusibles de montaje en superficie 1.25A 63V 1206 Fast-Acting AEC-Q200

04371.25WRA
Littelfuse
1: S/6.93
2,747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
04371.25WRA

N.º de artículo de Mouser
576-04371.25WRA

Fusibles de montaje en superficie 1.25A 63V 1206 Fast-Acting AEC-Q200

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2,747En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/6.11

S/5.80

S/4.71

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Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Rectificadores y diodos Schottky 10A 50V TO-277B

DST1050S-A
Littelfuse
1: S/8.76
4,169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DST1050S-A

N.º de artículo de Mouser
576-DST1050S-A

Rectificadores y diodos Schottky 10A 50V TO-277B

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4,169En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/4.24

S/3.79

S/3.02

Ver

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000