Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs deliver superior performance via robust power MOSFET technology. The OptiMOS 60V Power MOSFETs provide >37% lower R_DS(on) and ~25% higher FOM_Qg x R_DS(on) performance than OptiMOS 5. The Infineon OptiMOS 6 60V Power MOSFETs offer higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.

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Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC008N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC008N06LM6ATMA1

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S/9.42

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Envase tipo carrete

S/7.47

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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

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1 Channel

60 V

378 A

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20 V

2.3 V

68 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ023N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
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S/12.73

S/8.25

S/6.07

S/5.10

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

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SMD/SMT

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1 Channel

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2.3 mOhms

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2.3 V

22 nC

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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ISZ072N06NM6ATMA1
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S/2.72

S/2.24

S/2.09

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Envase tipo carrete

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1 Channel

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57 A

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3.3 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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IQE018N06NM6CGSCATMA1
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S/9.50

S/6.81

S/5.53

S/5.33

Envase tipo carrete

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3.3 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQE018N06NM6SCATMA1
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S/9.50

S/6.81

S/5.53

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.18

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1 Channel

60 V

178 mA

2.2 mOhms

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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S/14.29

S/9.89

S/8.45

S/8.17

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Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

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S/10.98

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S/5.06

S/4.24

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.67

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

60 V

143 A

2.5 mOhms

20 V

2.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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ISZ025N06NM6ATMA1
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S/3.25

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S/2.73

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Mult.: 1

: 5,000

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N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

2.5 mOhms

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3.3 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

OptiMOS

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1: S/3.11
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S/2.00

S/1.64

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

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1 Channel

60 V

62 A

6 mOhms

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3.3 V

12.4 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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Infineon Technologies
1: S/23.16
4,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06LM6ATMA1

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726-ISC007N06LM6ATMA

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S/15.18

S/11.17

S/9.96

S/9.61

Envase tipo carrete

S/8.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

ISC007N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.77
5,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC007N06NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

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5,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/25.77

S/17.20

S/13.31

S/12.42

S/12.07

Envase tipo carrete

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

IQE018N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
5,000Se espera el 30/07/2026
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N.º de artículo del Fabricante
IQE018N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE018N06NM6ATMA

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5,000Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/13.70

S/8.91

S/6.31

S/5.10

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Envase tipo carrete

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

178 mA

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 mW

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

IQE018N06NM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
5,000Se espera el 30/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE018N06NM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE018N06NM6CGAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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Hoja de datos

5,000Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/13.70

S/8.91

S/6.31

S/5.10

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Envase tipo carrete

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

178 mA

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 mW

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC009N06NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.19
4,000Se espera el 11/02/2027
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ISC009N06NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC009N06NM6SCAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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4,000Se espera el 11/02/2027

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S/22.19

S/14.79

S/11.44

S/10.63

Envase tipo carrete

S/10.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

344 A

900 uOhms

20 V

3.3 V

121 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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