Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs deliver superior performance via robust power MOSFET technology. The OptiMOS 60V Power MOSFETs provide >37% lower R_DS(on) and ~25% higher FOM_Qg x R_DS(on) performance than OptiMOS 5. The Infineon OptiMOS 6 60V Power MOSFETs offer higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 14

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V IQE018N06NM6CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: S/12.14 3,793En existencias 6,000Se espera el 19/08/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE018N06NM6CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE018N06NM6CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	3,793En existencias 6,000Se espera el 19/08/2027	Cinta cortada S/12.14 S/7.08 S/5.45 S/4.48 Ver Envase tipo carrete S/3.97 S/4.40 S/4.16 S/3.97	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	PG-WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	60 V	178 mA	2.2 mOhms	20 V	3.3 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	125 mW	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V IQE018N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies 1: S/14.48 5,364En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE018N06NM6SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE018N06NM6SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	5,364En existencias	Cinta cortada S/14.48 S/7.28 S/6.58 S/5.37 S/5.18 Envase tipo carrete S/5.02	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	PG-TSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	178 mA	2.2 mOhms	20 V	3.3 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	125 mW	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/19.00 2,918En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC008N06LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC008N06LM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	2,918En existencias	Cinta cortada S/19.00 S/9.81 S/8.91 S/7.71 S/7.43 Envase tipo carrete S/7.28	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	378 A	800 uOhms	20 V	2.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC009N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/18.26 7,846En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC009N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC009N06NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	7,846En existencias	Cinta cortada S/18.26 S/9.38 S/8.52 S/7.32 S/7.05 Envase tipo carrete S/6.89	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	344 A	900 uOhms	20 V	3.3 V	97 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC025N06LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/11.29 4,204En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC025N06LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N06LM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4,204En existencias	Cinta cortada S/11.29 S/5.57 S/5.02 S/4.05 Ver Envase tipo carrete S/3.59 S/3.93 S/3.83 S/3.59	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	143 A	2.5 mOhms	20 V	2.3 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISZ023N06LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.06 3,672En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISZ023N06LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ023N06LM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	3,672En existencias	Cinta cortada S/8.06 S/5.45 S/4.59 S/4.40 Envase tipo carrete S/4.24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	149 A	2.3 mOhms	20 V	2.3 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISZ025N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.69 4,383En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISZ025N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ025N06NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4,383En existencias	Cinta cortada S/9.69 S/4.75 S/4.24 S/3.39 Ver Envase tipo carrete S/2.92 S/3.29 S/3.19 S/2.92	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	137 A	2.5 mOhms	20 V	3.3 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC060N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.76 8,120En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC060N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC060N06NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	8,120En existencias	Cinta cortada S/5.76 S/2.71 S/2.41 S/1.88 Envase tipo carrete S/1.39 Ver S/1.86 S/1.82 S/1.27	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	62 A	6 mOhms	20 V	3.3 V	12.4 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISZ072N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.96 4,319En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISZ072N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ072N06NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4,319En existencias	Cinta cortada S/5.96 S/2.81 S/2.50 S/1.96 S/1.91 Envase tipo carrete S/1.48	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	57 A	7.2 mOhms	20 V	3.3 V	12.3 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V ISC007N06LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/28.03 4,023En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC007N06LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC007N06LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4,023En existencias	Cinta cortada S/28.03 S/14.99 S/13.74 S/13.00 S/12.30 Envase tipo carrete S/12.30	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V ISC007N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/26.55 5,000Se espera el 22/10/2026	N.º de artículo del Fabricante ISC007N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC007N06NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	5,000Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada S/26.55 S/16.15 S/13.66 S/12.42 S/12.07 Envase tipo carrete S/11.37	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V IQE018N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/14.13 5,000Se espera el 26/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE018N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE018N06NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	5,000Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada S/14.13 S/7.16 S/6.42 S/5.25 Ver Envase tipo carrete S/4.55 S/5.18 S/5.06 S/4.55	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	178 mA	2.2 mOhms	20 V	3.3 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	125 mW	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V IQE018N06NM6CGATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.97 5,000Se espera el 19/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE018N06NM6CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE018N06NM6CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	5,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada S/13.97 S/7.16 S/6.34 S/5.25 Ver Envase tipo carrete S/4.55 S/5.06 S/4.87 S/4.55	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TTFN-9	N-Channel	1 Channel	60 V	178 mA	2.2 mOhms	20 V	3.3 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	125 mW	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC009N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies 1: S/23.67 4,000Se espera el 5/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC009N06NM6SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC009N06NM6SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4,000Se espera el 5/11/2026	Cinta cortada S/23.67 S/15.88 S/12.42 S/11.41 S/10.63 Envase tipo carrete S/10.63	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	PG-WSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	344 A	900 uOhms	20 V	3.3 V	121 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

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