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NVMFS5832NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5832NLWFT1G-UM
Price: 7.63 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-FS5832NLWFT1G-UM

Fabricante N.º:

NVMFS5832NLWFT1G-UM

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

Ciclo de vida:

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	S/2.38	S/2,380.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/2.38	S/3,570.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	51 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	127 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	21 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24 ns
Serie:	NVMFS5832NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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