Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low R_DS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

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Resultados: 22

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI

STN3P6F6
STMicroelectronics
1: S/5.33
44,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN3P6F6

N.º de artículo de Mouser
511-STN3P6F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI

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44,550En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/2.72

S/1.93

S/1.61

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Envase tipo carrete

S/1.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

3 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

2.6 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

STH410N4F7-6AG
STMicroelectronics
1: S/21.80
701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH410N4F7-6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH410N4F7-6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

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701En existencias

Cinta cortada

S/21.80

S/14.56

S/11.72

S/10.43

Envase tipo carrete

S/8.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-6

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

365 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI

STD26P3LLH6
STMicroelectronics
1: S/5.64
5,376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD26P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STD26P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI

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5,376En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.58

S/2.37

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

12 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
1: S/26.90
773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH410N4F7-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH410N4F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

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773En existencias

Cinta cortada

S/26.90

S/18.18

S/13.47

Envase tipo carrete

S/10.98

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

365 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL8P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/4.24
4,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STL8P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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4,465En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.78

S/2.09

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

20.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

STD10P6F6
STMicroelectronics
1: S/5.41
12,297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10P6F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD10P6F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

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12,297En existencias

Cinta cortada

S/5.41

S/3.36

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

10 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET

STLD200N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/15.61
2,251En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD200N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD200N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET

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2,251En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.47

S/6.62

S/6.46

Envase tipo carrete

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.27 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

STH260N6F6-2
STMicroelectronics
1: S/14.67
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH260N6F6-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH260N6F6-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

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693En existencias

Cinta cortada

S/14.67

S/11.68

S/9.15

S/8.10

Envase tipo carrete

S/6.34

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

STLD125N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/12.49
2,487En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD125N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD125N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

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Hoja de datos

2,487En existencias

Cinta cortada

S/12.49

S/8.17

S/5.84

S/4.98

Ver

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

STD110N8F6
STMicroelectronics
1: S/9.38
6,681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD110N8F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD110N8F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

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Hoja de datos

6,681En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/5.99

S/4.13

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

STD80N4F6
STMicroelectronics
1: S/3.85
3,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N4F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N4F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

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Hoja de datos

3,003En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/3.71

S/3.36

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI

STL12P6F6
STMicroelectronics
1: S/5.25
4,867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL12P6F6

N.º de artículo de Mouser
511-STL12P6F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI

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4,867En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.32

S/2.20

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

P-Channel

1 Channel

60 V

12 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

STL6N3LLH6
STMicroelectronics
1: S/3.58
9,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL6N3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL6N3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

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Hoja de datos

9,992En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.22

S/1.44

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET

STS8DN6LF6AG
STMicroelectronics
1: S/6.93
3,566En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS8DN6LF6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STS8DN6LF6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET

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Hoja de datos

3,566En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.44

S/2.96

S/2.34

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

8 A

21 mOhms, 21 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 32 mOhm typ., 24 A STripFET II Power MOSFET in

STD20NF06LAG
STMicroelectronics
1: S/5.49
3,708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD20NF06LAG

N.º de artículo de Mouser
511-STD20NF06LAG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 32 mOhm typ., 24 A STripFET II Power MOSFET in

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Hoja de datos

3,708En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.47

S/2.30

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.50

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET

STH320N4F6-6
STMicroelectronics
1: S/19.31
568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH320N4F6-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH320N4F6-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET

Obtenga más información

Hoja de datos

568En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/12.85

S/9.15

S/8.64

Envase tipo carrete

S/7.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP100N6F7
STMicroelectronics
1: S/7.55
2,119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP100N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP100N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

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Hoja de datos

2,119En existencias

S/7.55

S/3.65

S/3.26

S/2.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

STP105N3LL
STMicroelectronics
1: S/6.38
2,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP105N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STP105N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

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Hoja de datos

2,575En existencias

S/6.38

S/3.04

S/2.71

S/2.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a

STS8N6LF6AG
STMicroelectronics
1: S/4.83
3,155En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS8N6LF6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STS8N6LF6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a

Obtenga más información

Hoja de datos

3,155En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.02

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI

STT6N3LLH6
STMicroelectronics
1: S/2.88
5,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STT6N3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STT6N3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI

Obtenga más información

Hoja de datos

5,970En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.76

S/1.15

S/0.876

Envase tipo carrete

S/0.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N6F7
STMicroelectronics
2,500: S/1.35
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD80N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.35

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a

STL86N3LLH6AG
STMicroelectronics
3,000: S/2.02
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL86N3LLH6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL86N3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.02

S/1.90

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

STripFET VI™ Power MOSFETs

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