MOSFET de tipo trinchera de canal N 2N7002AK

Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small surface-mounted (SMD) plastic packages using Trench MOSFET technology. These AEC-Q101-qualified devices offer logic-level compatibility in a wide -55°C to +175°C junction temperature range. Applications for Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs include relay and high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 N-CH 60V .22A
Hoja de datos
4,845En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
Hoja de datos
2,954En existencias
5,000Se espera el 20/08/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT323 N-CH 60V .22A
Hoja de datos
5,365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .24A
Hoja de datos
23,288Se espera el 20/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Hoja de datos
9,397Se espera el 1/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape