GC05MPS33J-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GC05MPS33J-TR
GC05MPS33J-TR

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Navitas Semiconductor
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
Marca: GeneSiC Semiconductor
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
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Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

3300V 5A SiC Schottky MPS Diode

GeneSiC Semiconductor 3300V 5A SiC Schottky MPS Diode is a new generation of SiC diode with improved surge and avalanche robustness. This SiC Schottky MPS diode incorporates enhanced forward and switching characteristics with 3300V Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM). The Schottky diode offers a continuous forwarding current (IF) of 8A and a total capacitative charge (Qc) of 43nC. This 3300V diode drives with low thermal resistance, temperature-independent fast switching, and low leakage current. The SiC Shottky MPS diode comes with advantages like optimal price-performance, increased price-performance and system power density, and reduced cooling requirements. Typical applications include medical imaging, oil drilling, geothermal instrumentation, high-frequency rectifiers, high voltage multipliers, and high voltage switching.  

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/93.42 S/93.42
S/88.52 S/885.20
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
S/78.16 S/62,528.00

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