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SGT080R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT080R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT080R70ILB
Price: 19.38 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SGT080R70ILB

Fabricante N.º:

SGT080R70ILB

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/19.38	S/19.38
	S/13.62	S/136.20
	S/11.76	S/1,176.00
	S/11.41	S/5,705.00
	S/11.09	S/11,090.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/10.70	S/32,100.00
24,000	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-8
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	SGT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Modo canal:	Enhancement
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	29 A
Sensibles a la humedad:	Yes
Dp - Disipación de potencia :	188 W
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Qg - Carga de puerta:	6.2 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Tiempo de subida:	4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico:	5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Peso de la unidad:	154 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor is an enhancement-mode transistor designed for high-efficiency power conversion applications. Featuring a drain-source voltage rating of 700V and a typical on-resistance of just 80mΩ, the STMicroelectronics SGT080R70ILB leverages the superior switching performance of Gallium Nitride (GaN) technology to minimize conduction and switching losses. Housed in a compact PowerFLAT 8x8 HV package, the transistor supports high-frequency operation and is ideal for use in resonant converters, power factor correction (PFC) stages, and DC-DC converters. A low gate charge and output capacitance enable faster transitions and reduced energy dissipation, making the SGT080R70ILB well-suited for demanding applications in consumer electronics, industrial systems, and data centers.