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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm
Hoja de datos
4,447En existencias
S/32.58
S/17.83
S/17.09
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
Hoja de datos
125En existencias
S/105.14
S/72.09
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm
Hoja de datos
631En existencias
Cinta cortada
S/33.79
S/18.37
S/16.89
S/15.57
Envase tipo carrete
S/15.57
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 70 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
Hoja de datos
1,365En existencias
S/31.22
S/17.71
S/17.67
S/17.01
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM
Hoja de datos
403En existencias
S/40.64
S/23.67
S/21.80
S/19.97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 27MOHM
Hoja de datos
201En existencias
450Se espera el 30/10/2026
S/102.65
S/74.77
S/70.18
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms 30 V 3 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
Hoja de datos
900Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
S/44.72
S/34.10
S/25.92
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube