GaN FETs – Mouser Perú

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700V CoolGaN™ G5 Power Transistors

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5 Power Transistors represent a significant advancement in power conversion technology. These gallium nitride (GaN) transistors are designed to operate at high frequencies with superior efficiency, enabling ultra-fast switching and minimizing energy losses. The 700V CoolGaN G5 series features enhancement-mode transistors that are normally off, ensuring safe operation and high reliability. With low gate and output charge, these transistors support high power density designs and reduce system BOM costs.

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Resultados: 7

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

IGD70R140D2SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.43
1,792En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGD70R140D2SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGD70R140D2SAUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

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Hoja de datos

1,792En existencias

Cinta cortada

S/10.43

S/6.73

S/4.79

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

700 V

- 10 V

1.6 V

1.9 nC

- 40 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

IGLR70R140D2SXUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
4,888En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR70R140D2SXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR70R140D2SXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

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Hoja de datos

4,888En existencias

Cinta cortada

S/11.29

S/7.32

S/5.37

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TSON-8

HEMT

1 Channel

700 V

13 A

170 mOhms

1.6 V

1.8 nC

- 40 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

IGLR70R200D2SXUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.34
5,130En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR70R200D2SXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR70R200D2SXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

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Hoja de datos

5,130En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/5.99

S/4.05

S/3.40

Ver

Envase tipo carrete

S/2.68

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TSON-8

HEMT

1 Channel

700 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.26 nC

- 40 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

IGD70R200D2SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.19
1,924En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGD70R200D2SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGD70R200D2SAUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

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1,924En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.88

S/4.05

S/3.45

Envase tipo carrete

S/2.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

700 V

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.3 nC

- 40 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

IGD70R270D2SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
1,924En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGD70R270D2SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGD70R270D2SAUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

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1,924En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.51

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

700 V

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1 nC

- 40 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

IGD70R500D2SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
1,096En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGD70R500D2SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGD70R500D2SAUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

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1,096En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.40

S/2.96

S/2.43

Envase tipo carrete

S/1.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

700 V

600 mOhms

- 10 V

1.6 V

0.53 nC

- 40 C

+ 150 C

11 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

IGLR70R270D2SXUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.52
4,994Se espera el 23/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR70R270D2SXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR70R270D2SXUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

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4,994Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.78

S/3.20

Ver

Envase tipo carrete

S/2.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TSON-8

HEMT

1 Channel

700 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolGaN

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