Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [R_DS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

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Resultados: 29

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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Panjit
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PJX8838_R1_00002

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241-PJX8838_R1_00002

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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S/1.79

S/1.26

S/0.782

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1 V

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300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA

PJE138KTB89_R1_00701
Panjit
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PJE138KTB89_R1_00701

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA

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S/1.87

S/1.37

S/0.775

S/0.525

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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Panjit
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Panjit

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S/0.506

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S/0.199

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Envase tipo carrete

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Ver

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Panjit

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S/0.662

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Envase tipo carrete

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S/0.701

S/0.44

S/0.272

S/0.199

Envase tipo carrete

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1.5 V

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S/0.49

S/0.276

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S/0.623

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S/1.05

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PJA3438_R1_00001
Panjit
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PJA3438_R1_00001

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241-PJA3438_R1_00001

Panjit

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S/0.856

S/0.518

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S/0.234

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Envase tipo carrete

S/0.199

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500 mA

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7438_R1_00001
Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
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241-PJC7438_R1_00001

Panjit

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6,321En existencias

Cinta cortada

S/0.895

S/0.541

S/0.335

S/0.249

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S/0.249

MouseReel Disponible

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6 Ohms

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJE8438_R1_00001
Panjit
1: S/1.01
3,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJE8438_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJE8438_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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3,026En existencias

Cinta cortada

S/1.01

S/0.623

S/0.389

S/0.284

S/0.253

Envase tipo carrete

S/0.249

MouseReel Disponible

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SOT-523-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

950 pC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJT138K-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/0.817
11,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJT138K-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJT138KAUR1000A1

Panjit

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11,255En existencias

Cinta cortada

S/0.817

S/0.502

S/0.311

S/0.23

Envase tipo carrete

S/0.148

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

236 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJT7838_R1_00001
Panjit
1: S/1.13
3,601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJT7838_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJT7838_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3,601En existencias

Cinta cortada

S/1.13

S/0.693

S/0.436

S/0.323

S/0.284

Envase tipo carrete

S/0.284

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

400 mA

1.45 Ohms

- 20 V, 20 V

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950 pC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJX8603_R1_00001
Panjit
1: S/1.17
9,100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJX8603_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJX8603_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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9,100En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.724

S/0.452

S/0.335

Envase tipo carrete

S/0.319

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

50 V

360 mA, 200 mA

2.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

950 pC

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300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected

PJX8838_R1_00001
Panjit
1: S/1.75
6,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJX8838_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJX8838_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected

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6,637En existencias

Cinta cortada

S/1.75

S/1.07

S/0.681

S/0.51

Envase tipo carrete

S/0.257

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

50 V

360 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

950 pC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA138K-AU_R2_000A1
Panjit
12,000: S/0.152
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA138K-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA138KAUR2000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Envase tipo carrete

S/0.152

S/0.093

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

4.5 Ohms

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1.5 V

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500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA138K_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.128
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA138K_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA138K_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.128

S/0.113

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3438-AU_R2_000A1
Panjit
12,000: S/0.23
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3438-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3438AUR2000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.23

Min.: 12,000
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Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3438_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.269
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3438_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3438_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.269

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

950 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJC138K-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/0.701
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC138K-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJC138KAUR1000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Cinta cortada

S/0.701

S/0.424

S/0.265

S/0.191

Envase tipo carrete

S/0.156

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

236 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC138K_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.128
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC138K_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC138K_R2_00001

Panjit

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.128

S/0.113

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

236 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7438_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.327
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC7438_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7438_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.327

S/0.28

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

400 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

950 pC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJX138K-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/0.934
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJX138K-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJX138KAUR1000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Cinta cortada

S/0.934

S/0.564

S/0.354

S/0.315

Envase tipo carrete

S/0.311

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

50 V

350 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

223 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJX138K_R1_00002
Panjit
8,000: S/0.265
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJX138K_R1_00002

N.º de artículo de Mouser
241-PJX138K_R1_00002

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.265

S/0.237

Min.: 8,000
Mult.: 8,000

Carrete: 8,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

50 V

350 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

223 mW

Enhancement

Reel

50V Enhancement Mode MOSFETs

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