Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?

TK155U60Z1,RQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?

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S/13.47

S/8.80

S/6.15

S/5.33

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.98

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: 2,000

SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

155 mOhms

30 V

4 V

24 nC

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130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

TK080U60Z1,RQ
Toshiba
1: S/21.10
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S/21.10

S/14.01

S/10.00

S/8.87

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

TOLL-9

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1 Channel

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30 V

4 V

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS?

TK095U65Z5,RQ
Toshiba
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S/27.29

S/18.45

S/13.70

S/13.31

Envase tipo carrete

S/12.81

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650 V

29 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS?

TK099U60Z1,RQ
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S/18.41

S/12.14

S/8.60

S/7.40

Envase tipo carrete

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TOLL-9

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS?

TK115U65Z5,RQ
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Cinta cortada

S/25.77

S/17.32

S/12.49

S/11.64

S/11.21

Envase tipo carrete

S/10.86

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SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

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650 V

24 A

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS?

TK125U60Z1,RQ
Toshiba
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S/15.61

S/10.20

S/7.36

S/6.11

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.68

Min.: 1
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SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

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4 V

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150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?

TK063N60Z1,S1F
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?

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S/28.42

S/16.31

S/13.58

S/12.38

Min.: 1
Mult.: 1

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N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 1.69A N-CH

TK068N65Z5,S1F
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 1.69A N-CH

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S/44.22

S/26.31

S/22.34

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Min.: 1
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68 nC

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?

TK080A60Z1,S4X
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S/19.89

S/11.87

S/8.99

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Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

80 mOhms

30 V

4 V

43 nC

+ 150 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

TK4R9E15Q5,S1X
Toshiba
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S/10.74

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N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

4.9 mOhms

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4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

TK5R0A15Q5,S4X
Toshiba
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S/11.72

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

76 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

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+ 175 C

53 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

TK7R2E15Q5,S1X
Toshiba
1: S/19.54
350En existencias
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TK7R2E15Q5,S1X

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S/10.12

S/9.15

S/7.47

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

84 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

TK7R4A15Q5,S4X
Toshiba
1: S/19.11
312En existencias
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TK7R4A15Q5,S4X

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757-TK7R4A15Q5S4X

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S/9.89

S/8.95

S/7.36

S/7.28

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

57 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

TK9R6E15Q5,S1X
Toshiba
1: S/16.62
284En existencias
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TK9R6E15Q5,S1X

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757-TK9R6E15Q5S1X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

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S/16.62

S/8.56

S/7.75

S/6.34

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

52 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

TK9R7A15Q5,S4X
Toshiba
1: S/15.96
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N.º de artículo del Fabricante
TK9R7A15Q5,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK9R7A15Q5S4X

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

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S/15.96

S/8.25

S/7.43

S/5.84

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

49 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?

TK099N60Z1,S1F
Toshiba
1: S/23.63
30En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
TK099N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK099N60Z1S1F

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?

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S/23.63

S/15.10

S/10.39

S/8.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

99 mOhms

30 V

36 nC

+ 150 C

176 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-220SIS, DTMOS?

TK115A65Z5,S4X
Toshiba
1: S/25.57
50En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
TK115A65Z5,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK115A65Z5S4X

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-220SIS, DTMOS?

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50En existencias

S/25.57

S/13.55

S/12.38

S/10.74

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

30 V

4.5 V

42 nC

+ 150 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-247, DTMOS?

TK115N65Z5,S1F
Toshiba
1: S/29.19
30En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
TK115N65Z5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK115N65Z5S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-247, DTMOS?

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S/29.19

S/16.78

S/14.01

S/12.81

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

30 V

4.5 V

42 nC

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?

TK125A60Z1,S4X
Toshiba
1: S/14.44
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK125A60Z1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK125A60Z1S4X

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?

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S/14.44

S/7.36

S/6.62

S/5.68

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Mult.: 1

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

30 V

4 V

28 nC

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?

TK155A60Z1,S4X
Toshiba
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3En existencias
150Se espera el 17/07/2026
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TK155A60Z1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK155A60Z1S4X

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S/13.43

S/7.90

S/6.42

S/5.29

S/4.98

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N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

155 mOhms

30 V

4 V

24 nC

+ 150 C

40 W

Enhancement

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