Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK125A60Z1,S4X
Toshiba
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TK125A60Z1,S4X

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757-TK125A60Z1S4X

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

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S/22.85

S/13.66

S/10.35

S/8.56

S/7.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

30 V

4 V

28 nC

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

TK080U60Z1,RQ
Toshiba
1: S/28.92
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757-TK080U60Z1RQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

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Cinta cortada

S/28.92

S/19.54

S/14.21

S/13.55

S/11.79

Envase tipo carrete

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

80 mOhms

30 V

4 V

43 nC

+ 150 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

TK095U65Z5,RQ
Toshiba
1: S/38.89
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

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Cinta cortada

S/38.89

S/26.70

S/20.05

S/17.48

Envase tipo carrete

S/16.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

95 mOhms

30 V

4.5 V

50 nC

+ 150 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ

TK099U60Z1,RQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ

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Cinta cortada

S/24.41

S/16.35

S/11.76

S/10.82

S/10.08

Envase tipo carrete

S/8.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

99 mOhms

30 V

4 V

36 nC

+ 150 C

176 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

TK115U65Z5,RQ
Toshiba
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S/34.29

S/23.36

S/17.17

S/16.97

S/14.79

Envase tipo carrete

S/13.86

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

30 V

4.5 V

42 nC

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

TK125U60Z1,RQ
Toshiba
1: S/21.80
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S/21.80

S/14.52

S/10.39

S/9.30

S/8.68

Envase tipo carrete

S/7.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

30 V

4 V

28 nC

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

TK155U60Z1,RQ
Toshiba
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S/19.70

S/13.04

S/9.26

S/8.10

Envase tipo carrete

S/6.66

S/6.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-9

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

155 mOhms

30 V

4 V

24 nC

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ

TK063N60Z1,S1F
Toshiba
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S/23.12

S/19.54

S/16.93

S/16.54

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

63 mOhms

30 V

4 V

56 nC

+ 150 C

242 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK115A65Z5,S4X
Toshiba
1: S/36.36
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TK115A65Z5,S4X

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S/18.29

S/15.53

S/14.95

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

30 V

4.5 V

42 nC

+ 150 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 1.69A N-CH

TK068N65Z5,S1F
Toshiba
1: S/53.17
85En existencias
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TK068N65Z5,S1F

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 1.69A N-CH

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S/32.15

S/27.48

S/24.64

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

37 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

TK7R2E15Q5,S1X
Toshiba
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TK7R2E15Q5,S1X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

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S/22.54

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S/10.74

S/8.41

S/7.90

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

84 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

TK7R4A15Q5,S4X
Toshiba
1: S/22.77
294En existencias
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TK7R4A15Q5,S4X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

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S/22.77

S/11.95

S/10.86

S/8.56

S/8.02

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

57 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

TK9R6E15Q5,S1X
Toshiba
1: S/19.97
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TK9R6E15Q5,S1X

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S/19.97

S/10.35

S/9.38

S/7.28

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

52 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

TK9R7A15Q5,S4X
Toshiba
1: S/18.65
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TK9R7A15Q5,S4X

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757-TK9R7A15Q5S4X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

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S/18.65

S/9.61

S/8.72

S/6.66

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Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

49 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK080A60Z1,S4X
Toshiba
1: S/28.80
113En existencias
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TK080A60Z1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK080A60Z1S4X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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S/28.80

S/15.41

S/15.38

S/11.83

S/10.98

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

80 mOhms

30 V

4 V

43 nC

+ 150 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=190W F=1MHZ

TK115N65Z5,S1F
Toshiba
1: S/41.53
30En existencias
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TK115N65Z5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK115N65Z5S1F

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=190W F=1MHZ

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S/41.53

S/24.60

S/20.82

S/18.10

S/17.83

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

30 V

4.5 V

42 nC

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ

TK099N60Z1,S1F
Toshiba
1: S/29.70
20En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK099N60Z1,S1F

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757-TK099N60Z1S1F

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ

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S/29.70

S/17.09

S/14.29

S/12.26

S/11.44

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

99 mOhms

30 V

36 nC

+ 150 C

176 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK155A60Z1,S4X
Toshiba
1: S/19.66
3En existencias
150Se espera el 17/07/2026
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TK155A60Z1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK155A60Z1S4X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

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S/19.66

S/10.20

S/9.23

S/7.63

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Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

155 mOhms

30 V

4 V

24 nC

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

TK5R0A15Q5,S4X
Toshiba
1: S/28.84
15En existencias
350Se espera el 5/10/2026
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N.º de artículo del Fabricante
TK5R0A15Q5,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R0A15Q5S4X

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

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350Se espera el 5/10/2026

S/28.84

S/15.45

S/12.85

S/11.76

S/11.02

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

76 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

TK4R9E15Q5,S1X
Toshiba
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450En pedido
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TK4R9E15Q5,S1X

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757-TK4R9E15Q5S1X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

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S/30.48

S/16.43

S/15.03

S/12.61

S/11.83

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

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