Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

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Resultados: 23

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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onsemi
1: S/26.04
6,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

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863-NVMFS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Cinta cortada

S/26.04

S/16.47

S/13.78

Envase tipo carrete

S/13.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 220

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/16.78
6,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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6,822En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/8.84

S/7.90

S/6.81

S/6.38

Envase tipo carrete

S/6.38

MouseReel Disponible

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: S/22.54
620En existencias
3,000Se espera el 5/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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620En existencias

3,000Se espera el 5/01/2027

Cinta cortada

S/22.54

S/11.79

S/10.78

S/9.69

S/9.07

Envase tipo carrete

S/9.07

MouseReel Disponible

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
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Plazo de entrega 53 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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Plazo de entrega 53 Semanas

Cinta cortada

S/28.57

S/17.98

S/13.70

S/12.81

Envase tipo carrete

S/12.81

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
1: S/14.91
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

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693En existencias

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S/14.91

S/7.90

S/7.01

S/5.92

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.57

MouseReel Disponible

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NLET1G
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1,050En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Cinta cortada

S/22.54

S/14.79

S/10.90

Envase tipo carrete

S/10.90

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Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.36 mOhms

20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

NVMFS5830NLWFT1G-UM
onsemi
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1,200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5830NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5830NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

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Cinta cortada

S/7.94

S/5.37

S/4.52

Envase tipo carrete

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: 1,500

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DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

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20 V

2.4 V

113 nC

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+ 175 C

158 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NWFT1G
onsemi
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2,368En existencias
4,500Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NWFT1G

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863-FS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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S/41.46

S/23.00

S/21.80

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S/20.63

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288 A

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200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NT1G
onsemi
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1,285En existencias

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NVMFS5C612NT1G

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863-NVMFS5C612NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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S/22.34

S/11.72

S/10.67

S/9.61

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1 Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NLT1G
onsemi
1: S/22.54
2,269En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLT1G

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863-NVMFS5C612NLT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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S/22.54

S/19.85

S/16.31

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S/9.42

Ver

MouseReel Disponible

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167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NT1G
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160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NT1G

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863-NVMFS5C604NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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S/40.56

S/28.22

S/22.62

S/21.18

S/20.05

Envase tipo carrete

S/20.05

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DFN-5

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1 Channel

60 V

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200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: S/29.27
3,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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3,701En existencias

Cinta cortada

S/29.27

S/19.77

S/14.40

Envase tipo carrete

S/14.40

MouseReel Disponible

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
1: S/33.51
1,635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC1D6N06CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Cinta cortada

S/33.51

S/18.22

Envase tipo carrete

S/18.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 90

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
onsemi
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1,524En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVM604NLWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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1,524En existencias

Cinta cortada

S/29.08

S/15.61

S/14.29

S/13.66

S/12.73

Envase tipo carrete

S/12.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLT1G
onsemi
1: S/34.57
1,137En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

1,137En existencias

Cinta cortada

S/34.57

S/18.84

S/17.32

S/17.17

S/16.23

Envase tipo carrete

S/16.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
1: S/20.63
3,041En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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3,041En existencias

Cinta cortada

S/20.63

S/13.70

S/9.77

S/8.64

S/8.45

Envase tipo carrete

S/8.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
onsemi
1: S/26.27
17En existencias
3,000Se espera el 20/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

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Hoja de datos

17En existencias

3,000Se espera el 20/10/2026

Cinta cortada

S/26.27

S/16.23

S/13.23

S/11.99

S/11.13

Envase tipo carrete

S/11.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
onsemi
1: S/27.17
49En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

49En existencias

9,000En pedido

Cinta cortada

S/27.17

S/17.20

S/13.51

S/12.53

S/12.30

Envase tipo carrete

S/11.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

316 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFET1G
onsemi
1: S/27.99
1,500Se espera el 5/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C604NLWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

1,500Se espera el 5/01/2027

Cinta cortada

S/27.99

S/17.09

S/14.44

Envase tipo carrete

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
1: S/8.76
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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Hoja de datos

3,000En pedido

Cinta cortada

S/8.76

S/5.49

S/3.61

S/2.86

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8FL-4

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1 Channel

60 V

25 A

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- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS024N06CT1G
onsemi
1: S/8.02
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/2.74

S/2.25

Envase tipo carrete

S/2.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

NVMFS5832NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/8.64
1,500Se espera el 23/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5832NLWFT1G-UM

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863-FS5832NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

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1,500Se espera el 23/10/2026

Cinta cortada

S/8.64

S/5.49

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.69

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.2 mOhms

20 V

2.4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5,000: S/12.53
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Envase tipo carrete

S/12.53

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A, 287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

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