Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

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Resultados: 23

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
onsemi
1: S/19.81
6,837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

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Hoja de datos

6,837En existencias

Cinta cortada

S/19.81

S/14.29

S/11.52

S/10.82

S/10.47

Envase tipo carrete

S/10.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/15.96
6,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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6,822En existencias

Cinta cortada

S/15.96

S/9.38

S/7.36

S/6.46

S/6.03

Envase tipo carrete

S/6.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
1: S/31.18
1,747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC1D6N06CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

1,747En existencias

Cinta cortada

S/31.18

S/20.55

S/16.08

S/15.69

S/14.83

Envase tipo carrete

S/14.83

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
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2,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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2,792En existencias

Cinta cortada

S/27.91

S/18.72

S/13.62

S/12.92

S/12.07

Envase tipo carrete

S/12.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
onsemi
1: S/28.03
4,359En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVM604NLWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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4,359En existencias

Cinta cortada

S/28.03

S/18.88

S/13.35

S/12.88

S/12.11

Envase tipo carrete

S/12.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: S/21.72
620En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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620En existencias

Cinta cortada

S/21.72

S/14.40

S/10.35

S/9.26

S/8.72

Envase tipo carrete

S/8.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
1: S/14.99
712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

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712En existencias

Cinta cortada

S/14.99

S/9.65

S/6.89

S/5.64

S/5.29

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

NVMFS5830NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/7.59
1,050En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5830NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5830NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

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1,050En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/5.14

S/4.32

S/4.16

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

2.3 mOhms

20 V

2.4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NWFT1G
onsemi
1: S/40.72
1,716En existencias
4,500Se espera el 10/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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1,716En existencias

4,500Se espera el 10/02/2027

Cinta cortada

S/40.72

S/27.91

S/22.19

S/20.79

S/19.50

Envase tipo carrete

S/19.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NT1G
onsemi
1: S/39.08
324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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324En existencias

Cinta cortada

S/39.08

S/26.82

S/20.16

S/18.92

Envase tipo carrete

S/18.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NT1G
onsemi
1: S/21.56
1,218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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1,218En existencias

Cinta cortada

S/21.56

S/14.36

S/10.24

S/9.15

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.56

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
1: S/26.70
6,817En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

6,817En existencias

Cinta cortada

S/26.70

S/16.78

S/13.00

S/12.18

S/11.41

Envase tipo carrete

S/11.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS024N06CT1G
onsemi
1: S/7.75
1,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

1,326En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

S/2.14

Envase tipo carrete

S/2.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: S/26.16
3,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

3,643En existencias

Cinta cortada

S/26.16

S/15.80

S/12.77

Envase tipo carrete

S/12.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
onsemi
1: S/27.60
51En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

51En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/27.60

S/18.26

S/13.35

S/12.11

S/11.29

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

316 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLT1G
onsemi
1: S/33.32
97En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

97En existencias

Cinta cortada

S/33.32

S/22.65

S/16.62

S/16.35

S/15.34

Envase tipo carrete

S/15.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
1: S/20.86
24En existencias
3,000Se espera el 14/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Hoja de datos

24En existencias

3,000Se espera el 14/08/2026

Cinta cortada

S/20.86

S/13.74

S/10.04

S/8.56

S/7.71

Envase tipo carrete

S/7.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NLT1G
onsemi
1: S/22.97
483En existencias
1,500Se espera el 24/06/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Hoja de datos

483En existencias

1,500Se espera el 24/06/2026

Cinta cortada

S/22.97

S/19.85

S/16.85

S/11.29

S/8.80

Envase tipo carrete

S/8.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

235 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFET1G
onsemi
1: S/26.90
1,500Se espera el 14/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C604NLWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

1,500Se espera el 14/08/2026

Cinta cortada

S/26.90

S/17.98

S/14.48

S/12.88

S/10.63

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NLET1G
onsemi
1: S/20.82
1,500Se espera el 11/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Hoja de datos

1,500Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/20.82

S/13.82

S/9.85

S/8.72

S/8.17

Envase tipo carrete

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.36 mOhms

20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

NVMFS5832NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/7.63
1,500Se espera el 14/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5832NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5832NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

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Hoja de datos

1,500Se espera el 14/08/2026

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.28

S/2.60

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.2 mOhms

20 V

2.4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
1: S/7.59
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.24

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5,000: S/11.13
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.13

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A, 287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

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