Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

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Resultados: 22

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
onsemi
1: S/19.89
6,924En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

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6,924En existencias

Cinta cortada

S/19.89

S/14.64

S/11.33

S/11.21

Envase tipo carrete

S/9.50

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/13.70
6,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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6,926En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.72

S/7.01

S/6.46

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Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
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2,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC1D6N06CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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2,029En existencias

Cinta cortada

S/28.14

S/18.53

S/15.61

S/15.49

S/14.25

Envase tipo carrete

S/12.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
1: S/24.76
2,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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2,812En existencias

Cinta cortada

S/24.76

S/17.59

S/12.92

S/11.79

Envase tipo carrete

S/10.55

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
onsemi
1: S/23.12
4,427En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVM604NLWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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4,427En existencias

Cinta cortada

S/23.12

S/17.28

S/12.69

S/11.68

Envase tipo carrete

S/10.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
1: S/12.03
760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

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760En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/9.03

S/6.42

S/5.64

Envase tipo carrete

S/4.63

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm

NVMFS5C604NWFT1G
onsemi
1: S/37.33
29En existencias
6,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C604NWFT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm

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Cinta cortada

S/37.33

S/25.65

S/20.79

S/16.97

Envase tipo carrete

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)

NVMFWS024N06CT1G
onsemi
1: S/6.58
1,326En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)

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Cinta cortada

S/6.58

S/4.40

S/3.10

S/2.46

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.06

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm

NVMFS5C604NT1G
onsemi
1: S/36.51
2,644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm

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2,644En existencias

Cinta cortada

S/36.51

S/25.07

S/20.16

S/18.14

Envase tipo carrete

S/16.82

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 225A, 1.65mohm

NVMFS5C612NT1G
onsemi
1: S/18.10
1,480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 225A, 1.65mohm

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Cinta cortada

S/18.10

S/13.39

S/9.58

S/9.15

S/8.29

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: S/25.07
6,056En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Cinta cortada

S/25.07

S/17.79

S/12.85

S/12.53

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Envase tipo carrete

S/10.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
1: S/13.62
1,657En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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1,657En existencias

Cinta cortada

S/13.62

S/9.42

S/8.06

S/7.79

Envase tipo carrete

S/7.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
1: S/24.37
1,158En existencias
3,000Se espera el 20/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

1,158En existencias

3,000Se espera el 20/03/2026

Cinta cortada

S/24.37

S/16.78

S/11.91

S/11.64

S/11.37

Envase tipo carrete

S/9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
onsemi
1: S/22.65
3,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

3,648En existencias

Cinta cortada

S/22.65

S/15.61

S/11.76

S/11.72

S/11.56

Envase tipo carrete

S/9.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

316 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLT1G
onsemi
1: S/30.91
427En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Hoja de datos

427En existencias

Cinta cortada

S/30.91

S/21.18

S/16.35

S/14.32

Envase tipo carrete

S/13.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
1: S/6.85
593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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Hoja de datos

593En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.52

S/3.02

S/2.40

S/2.37

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: S/19.89
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Hoja de datos

640En existencias

Cinta cortada

S/19.89

S/13.35

S/9.65

S/9.26

S/8.99

Envase tipo carrete

S/7.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NLT1G
onsemi
1: S/19.54
238En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Hoja de datos

238En existencias

Cinta cortada

S/19.54

S/19.27

S/14.71

S/11.25

S/10.32

Envase tipo carrete

S/7.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

235 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

NVMFS5830NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/11.56
1,500Se espera el 10/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5830NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5830NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

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Hoja de datos

1,500Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/11.56

S/7.47

S/5.53

S/4.63

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

2.3 mOhms

20 V

2.4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 235A, 1.5mohm 1500 / Tape & Reel

NVMFS5C612NLET1G
onsemi
1: S/19.46
1,500Se espera el 27/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 235A, 1.5mohm 1500 / Tape & Reel

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500Se espera el 27/03/2026

Cinta cortada

S/19.46

S/12.92

S/9.23

S/8.72

S/7.12

Envase tipo carrete

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.36 mOhms

20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

NVMFS5832NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/7.63
1,500Se espera el 10/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5832NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5832NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

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1,500Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.36

S/2.85

S/2.38

Envase tipo carrete

S/2.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.2 mOhms

20 V

2.4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5,000: S/9.65
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.65

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A, 287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

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