Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

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Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
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IAUCN04S7N010GATMA1

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726-IAUCN04S7N010GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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S/5.64

S/3.78

S/3.07

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Envase tipo carrete

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

252 A

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20 V

3 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L023HATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.07
2,606En existencias
5,000Se espera el 8/10/2026
Nuevo producto

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IAUCN04S7L023HATMA1

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726-IAUCN04S7L023HAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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Cinta cortada

S/6.07

S/4.05

S/3.37

S/3.25

Envase tipo carrete

S/3.14

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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2 Channel

40 V

132 A

2.34 mOhms

16 V

1.8 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L025AHATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
5,880En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7L025AHATMA1

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726-IAUCN04S7L025AHA

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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S/5.37

S/3.54

S/2.94

S/2.83

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.72

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

127 A

2.56 mOhms

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1.8 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V

IAUCN04S7L018DATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.76
697En existencias
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IAUCN04S7L018DATMA1

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726-IAUCN04S7L018DAT

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S/11.76

S/5.84

S/5.25

S/4.24

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Envase tipo carrete

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43 nC

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V

IAUCN04S7L024DATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
695En existencias
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IAUCN04S7L024DATMA1

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726-IAUCN04S7L024DAT

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S/10.00

S/4.90

S/4.40

S/3.52

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Envase tipo carrete

S/3.06

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SMD/SMT

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2 Channel

40 V

125 A

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- 16 V, 16 V

1.8 V

27 nC

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72 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L037HATMA1
Infineon Technologies
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491En existencias
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IAUCN04S7L037HATMA1

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726-IAUCN04S7L037HAT

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S/8.37

S/4.05

S/3.63

S/2.87

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Envase tipo carrete

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2 Channel

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16 V

1.8 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V

IAUCN04S7L038DATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
532En existencias
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IAUCN04S7L038DATMA1

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726-IAUCN04S7L038DAT

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S/8.95

S/3.84

S/3.43

S/2.72

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Envase tipo carrete

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40 V

84 A

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- 16 V, 16 V

1.8 V

15 nC

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+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7L042GATMA1
Infineon Technologies
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S/5.57

S/2.60

S/2.31

S/1.80

Envase tipo carrete

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N-Channel

1 Channel

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77 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N015GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.43
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IAUCN04S7N015GATMA1

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726-IAUCN04S7N015GAT

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S/3.56

S/3.18

S/2.51

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Envase tipo carrete

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THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

184 A

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20 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N019GATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN04S7N019GATMA1

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726-IAUCN04S7N019GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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S/6.73

S/3.20

S/2.86

S/2.25

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Envase tipo carrete

S/1.77

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: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

147 A

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20 V

3 V

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- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N027GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.34
1,984En existencias
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IAUCN04S7N027GATMA1

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726-IAUCN04S7N027GAT

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S/6.34

S/3.00

S/2.67

S/2.09

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.62

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

117 A

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3 V

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- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N037GATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.80
1,992En existencias
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IAUCN04S7N037GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N037GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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S/5.80

S/2.73

S/2.43

S/1.90

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Envase tipo carrete

S/1.44

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

91 A

3.65 mOhms

20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N047GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.50
1,912En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N047GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N047GAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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S/6.50

S/4.01

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

79 A

4.7 mOhms

20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7L050HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
5,289En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L050HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L050HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.20

S/2.53

S/2.16

Envase tipo carrete

S/2.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

65 A

5.04 mOhms

20 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N006TATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.18
9,427En existencias
4,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N006TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N006TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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9,427En existencias

4,000En pedido

Cinta cortada

S/15.18

S/7.67

S/6.97

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

40 V

425 A

770 uOhms

20 V

3 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N054HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
6,153En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N054HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N054HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Cinta cortada

S/7.51

S/3.58

S/3.20

S/2.53

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Envase tipo carrete

S/2.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

62 A

5.41 mOhms

20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
4,768En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L012ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/7.82

S/3.74

S/3.35

S/2.84

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Envase tipo carrete

S/2.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

199 A

1.25 mOhms

16 V

1.8 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L030ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
20,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L030ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L030ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

20,000En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/2.64

S/2.35

S/1.83

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Envase tipo carrete

S/1.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.05 mOhms

16 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology

IAUZN04S7L046ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
13,149En existencias
35,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L046ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L046ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology

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Hoja de datos

13,149En existencias

35,000En pedido

Cinta cortada

S/5.37

S/2.51

S/2.22

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUZN04S7N020ATMA2
Infineon Technologies
1: S/6.93
11,000En existencias
20,000Se espera el 25/03/2027
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7N020ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7N020AT2

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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11,000En existencias

20,000Se espera el 25/03/2027

Cinta cortada

S/6.93

S/4.44

S/2.95

S/2.32

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology

IAUZN04S7N026ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.99
11,353En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7N026ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7N026ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology

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IAUZN04S7L019ATMA1
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1.8 V

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IAUZN04S7N013ATMA2
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IAUZN04S7N013ATMA2

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IAUZN04S7N049ATMA1
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OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

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65 A
77 A
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97 A
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117 A
125 A
127 A
129 A
132 A
147 A
154 A
166 A
184 A
199 A
252 A

0.29 mOhms
0.38 mOhms
0.44 mOhms
770 uOhms
1.04 mOhms
1.25 mOhms
1.53 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.34 mOhms
2.36 mOhms
2.46 mOhms
2.56 mOhms
2.67 mOhms
3.05 mOhms
3.25 mOhms
3.26 mOhms
3.65 mOhms
3.78 mOhms
4.01 mOhms

9 nC
11 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
23 nC
25 nC
27 nC
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30 nC
34 nC
41 nC
42 nC
43 nC
59 nC
112 nC
127 nC
159 nC
268 nC