Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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SMD/SMT

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1 Channel

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3 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L019ATMA1
Infineon Technologies
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726-IAUZN04S7L019ATM

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S/2.63

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1.8 V

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L030ATMA1
Infineon Technologies
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S/2.09

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Enhancement

OptiMOS

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IAUZN04S7N032ATMA1
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S/3.18

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3 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN04S7L023HATMA1
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1.8 V

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75 W

Enhancement

OptiMOS

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IAUCN04S7L025AHATMA1
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700En existencias
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1.8 V

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OptiMOS

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Infineon Technologies
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693En existencias
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726-IAUCN04S7L037HAT

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IAUCN04S7N024HATMA1
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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N040HATMA1
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3 V

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L012ATMA1
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216En existencias
5,000Se espera el 28/05/2026
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IAUZN04S7L012ATMA1

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S/7.01

S/4.44

S/2.98

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.75

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40 V

199 A

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16 V

1.8 V

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+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L025ATMA1
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1: S/5.25
344En existencias
5,000Se espera el 16/02/2026
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IAUZN04S7L025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L025ATM

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5,000Se espera el 16/02/2026

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S/5.25

S/3.32

S/2.20

S/1.81

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S/1.29

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Carrete: 5,000

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PG-TDSON-8

N-Channel

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40 V

117 A

2.56 mOhms

16 V

1.8 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN04S7L050HATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.89
232En existencias
5,000Se espera el 18/06/2026
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IAUCN04S7L050HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L050HAT

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S/6.89

S/4.40

S/2.92

S/2.35

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S/1.79

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

65 A

5.04 mOhms

20 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N054HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
43En existencias
5,000Se espera el 18/06/2026
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N054HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N054HAT

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S/4.40

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S/1.79

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PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

62 A

5.41 mOhms

20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N006TATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
10,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N006TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N006TAT

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S/13.78

S/9.03

S/6.73

S/5.72

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

40 V

425 A

770 uOhms

20 V

3 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

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