Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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SQM50034EL_GE3

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Vishay / Siliconix

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SQM60030E_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ2348ES-T1_GE3
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SQM120N04-1m7L_GE3
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Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
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Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/4.13

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45 W

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Vishay Semiconductors
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SQJA00EP-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/5.84

S/3.70

S/2.46

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S/1.54

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1 Channel

60 V

30 A

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2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

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SQ1464EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1464EEH-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70

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S/1.95

S/1.22

S/0.817

S/0.65

Envase tipo carrete

S/0.549

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SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

60 V

440 mA

1.41 Ohms

- 8 V, 8 V

450 mV

4.1 nC

- 55 C

+ 175 C

430 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET

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Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQD10950E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD10950E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET

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432En existencias

S/7.28

S/4.90

S/3.34

S/2.66

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250 V

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

62 W

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TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ474EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.84
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SQJ474EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/5.84

S/3.63

S/2.43

S/1.93

S/1.76

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S/1.38

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100 V

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30 nC

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AEC-Q101

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SQJA04EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA04EP-T1_GE3

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78-SQJA04EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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S/7.20

S/4.59

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S/2.44

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S/1.97

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

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75 A

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Vishay / Siliconix
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SQJA06EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA06EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.84

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SMD/SMT

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1 Channel

60 V

57 A

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- 20 V, 20 V

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27 nC

- 55 C

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55 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA76EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SQJA76EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA76EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/4.98

S/3.36

S/2.67

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S/2.16

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

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75 A

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100 nC

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJA88EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.25
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N.º de artículo del Fabricante
SQJA88EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA88EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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835En existencias

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S/5.25

S/3.31

S/2.20

S/1.71

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S/1.36

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified

SQM100N04-2M7_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQM100N04-2M7_GE3

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Vishay / Siliconix

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S/13.58

S/9.23

S/6.42

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S/4.55

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40 V

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- 55 C

+ 175 C

157 W

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AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-263

SQM10250E_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.31
87En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQM10250E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM10250E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-263

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S/16.31

S/10.74

S/7.59

S/7.32

Envase tipo carrete

S/5.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

65 A

24.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified

SQD15N06-42L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.07
1,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD15N06-42L_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQD15N06-42L_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.07

S/3.83

S/2.56

S/2.01

Envase tipo carrete

S/1.68

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

15 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQD100N04-3M6_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.26
899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD100N04-3M6_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD100N04-3M6_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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S/9.26

S/5.96

S/4.09

S/3.34

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S/2.71

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified

SQD40N06-14L_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.46
18,051En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQD40N06-14L_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40N06-14L_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified

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S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.84

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQA300CEJW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.45
3,000Se espera el 14/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQA300CEJW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA300CEJW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/2.45

S/1.51

S/0.915

S/0.736

Envase tipo carrete

S/0.568

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

N-Channel

1 Channel

30 V

5.63 A

54 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W