Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

SQD50N04-5m6_T4GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.19
234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50N04-5m6_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50N04-5M6T4GE

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

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S/9.19

S/5.92

S/4.01

S/3.19

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.72

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1 Channel

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50 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.27
1,979En existencias
270,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ416EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ416EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.07

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.65

MouseReel Disponible

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Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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27 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.50
418En existencias
9,000Se espera el 19/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
SQJ476EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ476EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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418En existencias

9,000Se espera el 19/07/2027

Cinta cortada

S/6.50

S/4.01

S/2.64

S/2.07

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.61

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1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA00EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
3,040En existencias
9,000Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJA00EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA00EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.65

Ver

MouseReel Disponible

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: 3,000

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1 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

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+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJA04EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
1,090En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA04EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA04EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

60 V

75 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJA06EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA06EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA06EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/7.28

S/3.47

S/3.10

S/2.45

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

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57 A

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3 V

27 nC

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+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJA60EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.85
3,000En existencias
39,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJA60EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA60EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.28

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.83

MouseReel Disponible

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60 V

30 A

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2.5 V

18 nC

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJA64EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.94
226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA64EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA64EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/4.94

S/2.30

S/2.04

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.25

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

15 A

25.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7.6 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA72EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.72
1,907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA72EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA72EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Cinta cortada

S/8.72

S/5.61

S/3.78

S/3.01

S/2.76

Envase tipo carrete

S/2.53

MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

37 A

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- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

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+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified

SQM100N04-2M7_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.06
357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM100N04-2M7_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM100N04-2M7_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified

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357En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/9.85

S/6.89

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQD100N04-3M6_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.93
899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD100N04-3M6_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD100N04-3M6_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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899En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.38

S/4.36

S/3.64

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40020EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.08
494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40020EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40020EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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494En existencias

S/13.08

S/8.06

S/5.57

S/4.63

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

17.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3418EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.40
70,968En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQ3418EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3418EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/4.40

S/2.04

S/1.81

S/1.40

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.75
16,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ402E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ402E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

16,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/14.75

S/9.65

S/6.73

S/5.49

Envase tipo carrete

S/5.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

260 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

SQM90142E_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.87
70,657En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQM90142E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM90142E_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

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70,657En pedido

S/14.87

S/10.70

S/7.51

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

95 A

15.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified

SQR70090ELR_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.58
1,977Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQR70090ELR_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQR70090ELR_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified

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1,977Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.56

S/3.15

Envase tipo carrete

S/2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

86 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ2398ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.24
23,279Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQ2398ES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2398ES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

23,279Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/4.24

S/2.65

S/1.74

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.6 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

2.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQA300CEJW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.65
47,750En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQA300CEJW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA300CEJW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

47,750En pedido

Cinta cortada

S/2.65

S/1.64

S/1.05

S/0.798

Envase tipo carrete

S/0.607

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

N-Channel

1 Channel

30 V

5.63 A

54 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SC-70-6L

SQA442EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.89
21,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQA442EJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA442EJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SC-70-6L

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Hoja de datos

21,000En pedido

Cinta cortada

S/3.89

S/1.79

S/1.58

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.946

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

60 V

9 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ474EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
5,356Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ474EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ474EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

26 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ2348ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ2348ES-T1_GE3

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781-SQ2348ES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.95 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50034EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD50034EL_GE3

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78-SQD50034EL_GE3

Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJA46EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
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SQJA46EP-T1_GE3

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78-SQJA46EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQM200N04-1M8_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM200N04-1M8_GE3

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78-SQM200N04-1M8_GE3

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

310 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified

SQM50N04-4M0L_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM50N04-4M0L_GE3

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78-SQM50N04-4M0L_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified

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S/4.98

S/4.83

S/4.79

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W