Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 106

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM70060EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.25
10,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM70060EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM70060EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

10,652En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.82

S/5.99

Envase tipo carrete

S/4.28

S/4.24

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

SQM90142E_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.22
23,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM90142E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM90142E_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

23,015En existencias

S/15.22

S/10.00

S/7.01

S/6.77

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

95 A

15.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS140ELNW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.50
2,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS140ELNW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS140ELNW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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2,881En existencias

Cinta cortada

S/6.50

S/4.13

S/2.75

S/2.17

Envase tipo carrete

S/1.74

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

153 A

3.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

SQ2364EES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.62
32,464En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2364EES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

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32,464En existencias

Cinta cortada

S/3.62

S/2.26

S/1.47

S/1.13

Envase tipo carrete

S/0.876

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

240 mOhms

- 8 V, 8 V

460 mV

2.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3418EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.13
8,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3418EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3418EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

8,465En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.55

S/1.67

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

SQD50N04-5m6_T4GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.60
2,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50N04-5m6_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50N04-5M6T4GE

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

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2,234En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.53

S/3.74

S/2.98

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ454EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.58
6,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ454EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ454EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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6,571En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.40

S/3.02

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

200 V

13 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
3,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA02EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA02EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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3,008En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA84EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
12,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA84EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA84EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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12,368En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

46 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.19
9,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA86EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA86EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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9,649En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/3.93

S/2.60

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA96EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.19
4,542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA96EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA96EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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4,542En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/3.93

S/2.61

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

17.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

SQS484CENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.63
8,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS484CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS484CENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

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8,008En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/2.99

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

16 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

SUD23N06-31-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.80
4,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD23N06-31-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

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4,671En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.67

S/2.44

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

21.4 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

31.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQA310CEJW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.57
5,789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA310CEJW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA310CEJW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

5,789En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.68

S/1.12

S/0.852

Envase tipo carrete

S/0.685

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

N-Channel

1 Channel

30 V

9 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ2398ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.89
38,612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2398ES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2398ES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

38,612En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.42

S/1.58

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.6 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

2.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD70140EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
6,419En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD70140EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD70140EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

6,419En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.36

S/2.91

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ402EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.95
19,385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ402EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

19,385En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.72

S/3.89

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.44
2,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ412EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,770En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/7.98

S/5.57

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ486EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
3,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ486EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ486EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

3,490En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA20EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.59
5,054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA20EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA20EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

5,054En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/5.02

S/3.38

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

22.5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17.6 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA42EP-T1_GE3
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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJA60EP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

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AEC-Q101

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

37 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

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SQJQ100EL-T1_GE3
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S/10.51

S/7.71

S/6.85

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified

SQM120N06-3M5L_GE3
Vishay Semiconductors
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SQM120N06-3M5L_GE3

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78-SQM120N06-3M5LGE

Vishay Semiconductors

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S/13.66

S/9.77

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S/7.75

S/7.43

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Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W