Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA84EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
15,907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA84EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA84EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.45

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

46 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ100EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.09
2,164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ100EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ100EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/17.09

S/11.21

S/8.37

S/7.01

S/6.62

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQM35N30-97_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/19.93
1,591En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM35N30-97_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM35N30-97_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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1,591En existencias

S/19.93

S/13.20

S/9.38

S/7.79

Min.: 1
Mult.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

35 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQM50034EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.18
5,892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM50034EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM50034EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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S/12.18

S/7.90

S/5.45

S/4.55

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

SQS484CENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.92
14,359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS484CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS484CENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

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Cinta cortada

S/5.92

S/3.64

S/2.40

S/1.88

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.46

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

16 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

SUD23N06-31-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.23
5,657En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD23N06-31-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

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Cinta cortada

S/6.23

S/3.93

S/2.61

S/2.05

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

21.4 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

31.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQA310CEJW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.00
5,789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA310CEJW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA310CEJW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/3.00

S/1.86

S/1.20

S/0.911

Envase tipo carrete

S/0.79

Ver

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

N-Channel

1 Channel

30 V

9 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

SQ2364EES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.24
15,110En existencias
60,000Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQ2364EES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

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60,000Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/4.24

S/2.65

S/1.74

S/1.34

S/1.21

Envase tipo carrete

S/1.04

MouseReel Disponible

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

240 mOhms

- 8 V, 8 V

460 mV

2.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.62
4,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA86EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA86EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.20

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified

SQM120N06-3M5L_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/21.53
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM120N06-3M5L_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120N06-3M5LGE

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/21.53

S/14.32

S/10.24

S/8.68

Envase tipo carrete

S/8.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM50020EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.15
2,373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM50020EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM50020EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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2,373En existencias

Cinta cortada

S/19.15

S/12.65

S/8.99

S/7.94

Envase tipo carrete

S/7.63

S/7.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM60030E_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/21.10
1,809En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM60030E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM60030E_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/21.10

S/13.97

S/9.38

S/7.82

S/7.71

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQSA80ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.75
7,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQSA80ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQSA80ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

18 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

SQS484EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.86
3,818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS484EN-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQS484EN-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.86

S/4.87

S/3.20

S/2.51

Envase tipo carrete

S/1.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

16 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1440EH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.58
2,301En existencias
15,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQ1440EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1440EH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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2,301En existencias

15,000Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/3.58

S/2.24

S/1.45

S/1.11

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

60 V

1.7 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

SQA470EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.81
2,312En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA470EJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA470EJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.926

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

30 V

2.25 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

4.6 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified

SQD40N06-14L_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.12
378En existencias
6,000Se espera el 25/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQD40N06-14L_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40N06-14L_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified

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6,000Se espera el 25/08/2026

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.48

S/3.56

S/3.28

Envase tipo carrete

S/3.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD70140EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
2,341En existencias
6,000Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SQD70140EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD70140EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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2,341En existencias

6,000Se espera el 29/01/2027

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.11

S/2.46

S/2.25

Envase tipo carrete

S/2.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.40
3,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ148EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ148EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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3,439En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.76

S/1.81

S/1.40

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ460AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.56
1,077En existencias
3,000Se espera el 12/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ460AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ460AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.56

S/5.49

S/3.70

S/2.94

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

64 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA02EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA02EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJA88EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.64
3,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA88EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA88EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.35

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.64

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified

SQD15N06-42L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.50
1,021En existencias
2,000Se espera el 25/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQD15N06-42L_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQD15N06-42L_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.50

S/4.13

S/2.74

S/2.15

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

15 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

SQ3460EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.42
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3460EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3460EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.42

S/4.09

S/2.71

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

8 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

14 nC

- 55 C

+ 175 C

3.6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4050EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.03
1,551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4050EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4050EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

S/9.03

S/5.80

S/3.93

S/3.13

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W