Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 106

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.18
15,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ476EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ476EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

15,390En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.25

S/2.15

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

23 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.45
30,584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS460ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS460ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

30,584En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.44

S/2.28

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified

SQD25N15-52_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.65
4,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD25N15-52_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQD25N15-52_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

4,794En existencias

Cinta cortada

S/18.65

S/12.38

S/8.80

S/8.29

S/8.25

Envase tipo carrete

S/6.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

SQS484EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.96
4,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS484EN-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQS484EN-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,648En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.77

S/2.51

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

16 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA68EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.71
22,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA68EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA68EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

22,256En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.97

S/1.95

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

14 A

76.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4050EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.15
4,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4050EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4050EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,677En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.88

S/2.59

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD10N30-330H_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
12,038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD10N30-330H_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD10N30-330H_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

12,038En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.70

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

10 A

275 mOhms

- 30 V, 30 V

3.4 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4064EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.33
14,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4064EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

14,102En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.75

S/2.59

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQM35N30-97_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.61
1,484En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM35N30-97_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM35N30-97_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

1,484En existencias

S/18.61

S/12.34

S/9.73

S/8.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

35 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40010EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.22
1,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40010EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40010EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

1,166En existencias

Cinta cortada

S/15.22

S/10.00

S/7.01

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.66

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

230 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

SQ3460EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.03
2,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3460EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3460EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

2,364En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.74

S/2.50

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

8 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

14 nC

- 55 C

+ 175 C

3.6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQD40030E_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.11
612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40030E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40030E_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

612En existencias

S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.35

S/2.84

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40020EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.52
519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40020EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40020EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

519En existencias

S/11.52

S/7.47

S/5.18

S/4.90

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

17.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQR40030ER_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.15
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQR40030ER_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQR40030ER_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds N-Ch AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

2,000En existencias

Cinta cortada

S/9.15

Envase tipo carrete

S/2.91

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263

SQM50034E_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.81
746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM50034E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM50034E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263

Obtenga más información

Hoja de datos

746En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.29

S/6.07

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified

SQR70090ELR_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.84
1,754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQR70090ELR_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQR70090ELR_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

1,754En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.72

S/3.41

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

86 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ446EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
2,940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ446EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ446EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

2,940En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.49

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

SQS482ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.72
2,437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS482ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS482ENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

Obtenga más información

Hoja de datos

2,437En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.60

S/2.39

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA94EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
2,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA94EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA94EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

2,375En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.86

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

80 V

46 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40014EM_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.73
798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40014EM_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40014EM_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

798En existencias

S/15.73

S/10.32

S/7.59

S/6.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

840 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQRS140ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.04
6,472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQRS140ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQRS140ELP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

6,472En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/8.56

S/5.96

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.52

S/4.16

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

504 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

196 nC

- 55 C

+ 175 C

266 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQS180ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.15
6,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS180ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS180ENW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

6,475En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.88

S/2.59

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

72 A

8.67 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.70
30,551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ418EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

30,551En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.28

S/2.85

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ410EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.65
12,187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ410EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ410EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

12,187En existencias

Cinta cortada

S/15.65

S/10.28

S/7.24

S/6.50

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

135 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJQ466E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.79
13,104En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ466E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ466E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

13,104En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/9.69

S/6.81

S/6.03

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W