Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 104

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4064EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.82
13,877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4064EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

13,877En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.36

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40010EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.27
1,124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40010EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40010EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

1,124En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/10.70

S/8.06

S/7.67

Envase tipo carrete

S/7.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

230 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA68EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.06
19,663En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA68EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA68EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

19,663En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.18

S/2.09

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

14 A

76.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

SQM200N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.00
2,253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM200N04-1m7L_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQM200N041M7LGE

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

2,253En existencias

Cinta cortada

S/19.00

S/12.46

S/9.30

S/7.79

Envase tipo carrete

S/7.24

S/6.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

291 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA94EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.86
2,775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA94EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA94EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

2,775En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/4.94

S/3.25

S/2.58

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

80 V

46 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQ3418AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.99
2,576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3418AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3418AEEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,576En existencias

Cinta cortada

S/5.99

S/3.79

S/2.52

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK SC-70-6L

SQA470EEJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.81
5,657En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA470EEJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA470EEJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK SC-70-6L

Obtenga más información

Hoja de datos

5,657En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.926

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

30 V

2.25 A

56 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJA06EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA06EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA06EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

1,699En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.45

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

57 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

SQS482ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.24
2,317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS482ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS482ENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

Obtenga más información

Hoja de datos

2,317En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.48

S/2.93

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263

SQM50034E_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.74
726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM50034E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM50034E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263

Obtenga más información

Hoja de datos

726En existencias

Cinta cortada

S/13.74

S/8.91

S/6.15

S/5.14

Envase tipo carrete

S/5.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40014EM_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.82
798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40014EM_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40014EM_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

798En existencias

S/16.82

S/11.02

S/8.21

S/6.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

840 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-263

SQM10250E_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.44
15,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM10250E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM10250E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-263

Obtenga más información

Hoja de datos

15,288En existencias

Cinta cortada

S/17.44

S/11.52

S/8.14

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

65 A

24.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM70060EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.09
16,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM70060EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM70060EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

16,803En existencias

Cinta cortada

S/14.09

S/9.23

S/6.42

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQRS140ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.05
3,832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQRS140ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQRS140ELP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,832En existencias

Cinta cortada

S/14.05

S/9.15

S/6.38

S/5.18

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

504 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

196 nC

- 55 C

+ 175 C

266 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.16
37,928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ418EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

37,928En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.05

S/2.41

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.79
32,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

32,950En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.34

S/2.64

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJQ466E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.80
10,401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ466E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ466E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

10,401En existencias

Cinta cortada

S/15.80

S/10.39

S/7.28

S/6.03

Envase tipo carrete

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS140ELNW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.93
2,806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS140ELNW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS140ELNW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,806En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.40

S/2.94

S/2.32

Envase tipo carrete

S/1.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

153 A

3.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQS180ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.58
2,875En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS180ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS180ENW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,875En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.16

S/2.78

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

72 A

8.67 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70

SQ1464EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.23
14,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1464EEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1464EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70

Obtenga más información

Hoja de datos

14,926En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.00

S/1.30

S/0.989

S/0.887

Envase tipo carrete

S/0.759

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

60 V

440 mA

1.41 Ohms

- 8 V, 8 V

450 mV

4.1 nC

- 55 C

+ 175 C

430 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

SQD07N25-350H_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.61
3,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD07N25-350H_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD07N25-350H_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

3,997En existencias

Cinta cortada

S/9.61

S/6.11

S/4.13

S/3.33

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

7 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD70140EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
4,341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD70140EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD70140EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

4,341En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.11

S/2.46

S/2.25

Envase tipo carrete

S/2.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ402EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.58
18,409En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ402EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

18,409En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.34

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.16
2,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ412EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

2,997En existencias

Cinta cortada

S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.83

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.64
5,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ860EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ860EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

5,979En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.35

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W