Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 88

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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SQJA64EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.94
288,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA64EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA64EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

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288,441En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.09

S/2.04

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.25

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15 A

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- 20 V, 20 V

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.06
60,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA70EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA70EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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60,948En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.18

S/2.09

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

MouseReel Disponible

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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4 nC

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+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.74
13,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ100E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ100E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

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13,796En existencias

Cinta cortada

S/16.74

S/11.02

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.15

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1.5 V

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136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.63
30,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS460ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS460ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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30,481En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.26

S/2.58

S/2.36

Envase tipo carrete

S/2.10

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1 Channel

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8 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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39 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ410EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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11,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ410EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ410EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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11,599En existencias

Cinta cortada

S/16.74

S/11.02

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

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PowerPAK-8x8-4

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135 A

2.8 mOhms

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1.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.38
76,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ464EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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76,227En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

MouseReel Disponible

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1 Channel

60 V

32 A

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1.5 V

44 nC

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45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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201,746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1470AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

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201,746En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.24

S/1.45

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.7 A

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- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

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+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.79
39,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.34

S/2.64

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.16

MouseReel Disponible

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1.5 V

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA76EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
3,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA76EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA76EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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3,425En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8-4

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1 Channel

40 V

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2.4 mOhms

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2.5 V

100 nC

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+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA96EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.62
4,107En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA96EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA96EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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4,107En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

17.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

SQM200N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.00
2,323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM200N04-1m7L_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQM200N041M7LGE

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,323En existencias

Cinta cortada

S/19.00

S/12.46

S/9.30

S/7.79

Envase tipo carrete

S/7.24

S/6.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

291 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

SQD25N06-22L_T4GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.19
6,561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD25N06-22L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD25N06-22LT4GE

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

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6,561En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.84

S/3.93

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ446EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
2,820En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ446EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ446EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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2,820En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.41

S/3.65

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA42EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
3,114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA42EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA42EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

3,114En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.41

S/3.64

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.74
4,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ480E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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4,096En existencias

Cinta cortada

S/16.74

S/11.02

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4064EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.82
14,077En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4064EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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14,077En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.36

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40010EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.27
1,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40010EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40010EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,134En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/10.70

S/7.51

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.38

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

230 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.00
2,823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4182EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4182EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

2,823En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.46

S/4.40

S/3.52

S/3.24

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

32 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ420EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.80
23,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ420EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ420EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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23,948En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.65

S/2.42

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 120A Id AEC-Q101 Qualified

SQM50028EM_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.09
1,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM50028EM_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM50028EM_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 120A Id AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,463En existencias

Cinta cortada

S/17.09

S/11.21

S/8.37

S/7.01

Envase tipo carrete

S/6.50

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD10N30-330H_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.11
11,906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD10N30-330H_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD10N30-330H_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

11,906En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.16

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

10 A

275 mOhms

- 30 V, 30 V

3.4 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA68EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.06
21,711En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA68EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA68EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

21,711En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.18

S/2.09

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

14 A

76.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK SC-70-6L

SQA470EEJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.81
5,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA470EEJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA470EEJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK SC-70-6L

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Hoja de datos

5,967En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/1.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

30 V

2.25 A

56 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQD40030E_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
78En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40030E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40030E_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

78En existencias

S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263

SQM50034E_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.74
726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM50034E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM50034E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263

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Hoja de datos

726En existencias

Cinta cortada

S/13.74

S/8.91

S/6.15

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.79

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21.4 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.45 mOhms
3.7 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
17 nC
17.6 nC
18 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
62 W
62.5 W
68 W
70 W