Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 106

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.78
37,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ402E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ402E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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37,957En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/9.03

S/6.31

S/5.49

Envase tipo carrete

S/5.18

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1 Channel

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200 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.28
42,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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42,005En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.12

S/2.47

S/2.28

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1 Channel

40 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

SQD50N06-09L_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/22.73
32,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50N06-09L_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQD50N06-09L_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

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32,086En existencias

Cinta cortada

S/22.73

S/15.22

S/10.98

S/10.78

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Envase tipo carrete

S/10.20

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- 20 V, 20 V

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136 W

Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.12
71,574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS460EN-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS460EN-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

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71,574En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.55

S/3.04

S/2.41

S/2.21

Envase tipo carrete

S/2.10

MouseReel Disponible

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8 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

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+ 175 C

39 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.21
48,899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ886EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

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48,899En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.25

S/3.55

S/2.83

S/2.69

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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76,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ464EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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76,410En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.77

S/2.51

S/1.97

S/1.80

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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32 A

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1.5 V

44 nC

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified

SQD97N06-6M3L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.30
60,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD97N06-6M3L_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD97N06-6M3L_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified

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60,499En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.26

S/3.20

Envase tipo carrete

S/3.03

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1 Channel

60 V

97 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

125 nC

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+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJA64EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.59
288,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA64EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA64EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

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288,511En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.89

S/1.90

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

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15 A

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3 V

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.71
64,018En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA70EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA70EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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64,018En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.97

S/2.10

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

14.7 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.61
13,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ100E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ100E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

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13,796En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

220 nC

- 55 C

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136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
30,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS460ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS460ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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30,481En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.55

S/3.04

S/2.41

S/2.21

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.35
201,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1470AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

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201,803En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.09

S/1.35

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.806

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.7 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

SQD07N25-350H_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.61
2,402En existencias
2,000Se espera el 28/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQD07N25-350H_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD07N25-350H_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

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2,402En existencias

2,000Se espera el 28/04/2026

Cinta cortada

S/9.61

S/6.11

S/4.09

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

7 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJA60EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
15,241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA60EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA60EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

15,241En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.52

S/2.97

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.61
4,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ480E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

4,096En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

SQM200N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.18
2,323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM200N04-1m7L_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQM200N041M7LGE

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

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2,323En existencias

Cinta cortada

S/18.18

S/11.87

S/9.30

S/7.79

Envase tipo carrete

S/7.24

S/6.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

291 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4064EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.32
14,077En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4064EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

14,077En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.14

S/2.49

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQM35N30-97_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.61
1,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM35N30-97_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM35N30-97_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,368En existencias

S/18.61

S/12.34

S/8.80

S/7.79

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

35 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40010EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.22
1,154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40010EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40010EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,154En existencias

Cinta cortada

S/15.22

S/10.00

S/7.01

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.38

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

230 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.38
2,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4182EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4182EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

32 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ420EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ420EP-T1_GE3

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78-SQJ420EP-T1_GE3

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.19
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SQJA86EP-T1_GE3

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78-SQJA86EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/6.19

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S/1.72

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 120A Id AEC-Q101 Qualified

SQM50028EM_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.35
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SQM50028EM_GE3

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78-SQM50028EM_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 120A Id AEC-Q101 Qualified

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S/6.50

S/6.07

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: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJA68EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA68EP-T1_GE3

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78-SQJA68EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/1.33

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

14 A

76.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

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SQ4470EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4470EY-T1_GE3

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78-SQ4470EY-T1_GE3

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S/6.03

S/4.13

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W