Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 88

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.78
38,013En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ402E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ402E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

38,013En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/8.99

S/6.31

S/5.49

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.44

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N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

260 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.31
202,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1470AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

202,064En existencias

Cinta cortada

S/3.31

S/2.05

S/1.35

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.685

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.7 A

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- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

SQD50034E_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
31,107En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50034E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50034E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

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Hoja de datos

31,107En existencias

S/8.52

S/5.45

S/3.70

S/3.64

S/3.63

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

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100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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61,577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ860EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ860EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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61,577En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.31

S/2.20

S/1.71

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.19

MouseReel Disponible

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1 Channel

40 V

60 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

55 nC

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+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJA64EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.59
288,569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA64EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA64EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

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288,569En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.88

S/1.89

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

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15 A

25.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7.6 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.71
64,188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA70EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA70EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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64,188En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.97

S/1.95

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.20

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

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1 Channel

100 V

14.7 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.61
13,802En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ100E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ100E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

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13,802En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.92
42,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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42,008En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/3.88

S/2.75

S/2.47

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.84
119,341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ416EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ416EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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119,341En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.70

S/2.46

S/1.93

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.96
76,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ464EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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76,888En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.77

S/2.51

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

32 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQSA80ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
9,685En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQSA80ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQSA80ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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9,685En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.71

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

18 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.61
4,301En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ480E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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4,301En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
3,039En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4182EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4182EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

3,039En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.70

S/2.95

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

32 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

SQM200N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.70
2,393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM200N04-1m7L_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQM200N041M7LGE

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,393En existencias

Cinta cortada

S/16.70

S/11.17

S/8.56

S/7.71

Envase tipo carrete

S/6.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

291 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4050EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.15
4,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4050EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4050EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

4,677En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.88

S/2.59

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD10N30-330H_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.52
12,038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD10N30-330H_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD10N30-330H_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

12,038En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.70

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

10 A

275 mOhms

- 30 V, 30 V

3.4 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4064EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.33
14,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4064EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

14,102En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.75

S/2.59

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQM35N30-97_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.61
1,484En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM35N30-97_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM35N30-97_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,484En existencias

S/18.61

S/12.34

S/9.73

S/8.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

35 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40010EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.22
1,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40010EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40010EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,166En existencias

Cinta cortada

S/15.22

S/10.00

S/7.01

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.66

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

230 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

SQD25N06-22L_T4GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.49
6,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD25N06-22L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD25N06-22LT4GE

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

6,731En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.41

S/3.75

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.45

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.18
15,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ476EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ476EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

15,390En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.25

S/2.15

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.34

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

23 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.45
30,584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS460ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS460ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

30,584En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.44

S/2.28

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.42

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA68EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.71
22,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA68EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA68EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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22,256En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.97

S/1.95

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.26

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

14 A

76.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ420EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.41
25,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ420EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ420EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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25,133En existencias

Cinta cortada

S/5.41

S/3.37

S/2.25

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.47

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ460AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
3,452En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ460AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ460AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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3,452En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/5.10

S/3.46

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.35

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

64 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21.4 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.45 mOhms
3.7 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
17 nC
17.6 nC
18 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
62 W
62.5 W
68 W
70 W